KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data Last modified: 2016-11-21 (18646)

9 Grenzwerte
Maximum Ratings

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9.3
Feldeffekt-Transistoren
Field-Effect Transistors

9.3.1 Silizium-Sperrschicht-Kleinsignaltypen
Silicon Junction Small-Signal Devices

Alle Angaben sind absolute Grenzwerte, wenn nichts anderes angegeben ist. Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

All values are absolute maximum ratings unless otherwise specified. Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

UDG, UDS < 20 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVmAmA K/W°C°C
2SK161 
2SK192A
20025 -18-10 500125–55..
+125
Tos83
  PT @TA UDS DGO ID IG RthJA TJ TSTG 17854
mW°C VVmAmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDG2O DG1O IG2 IG1 RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVmAmA K/W°C°C
3SK22  20025 18181010 -150–65..
+150
Tos83
  PT @TA UDG2O DG1O IG2 IG1 RthJA TJ TSTG 17855
mW°C VVmAmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDG2S DG1S IG2 IG1 RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVmAmA K/W°C°C
3SK28  20025 18181010 625150–65..
+150
Tos83
  PT @TA UDG2S DG1S IG2 IG1 RthJA TJ TSTG 17855
mW°C VVmAmA K/W°C°C

UDG, UDS = 20 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDG USG IG TSTG TL Ref *?
mW°CmW/K VVmA °C°C
2N3328 
2N3329
2N3330
2N3331
2N3332
300252.0 202010 –65..
+200
230 Sil74
U110 
U112
300252.0 202030 –65..
+150
- Sil74
U146 
U147
U148
U149
300252.0 202030 –65..
+150
- Sil74
  PT @TA DP UDG USG IG TSTG TL 15740
mW°CmW/K VVmA °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
BF410  30075 2020-3010 <250150–65..
+150
Val80
  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG 15740
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGS SGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
2SK11 
2SK12
2SK15
2SK48
10025 -20--10 1250150–65..
+150
Tos83
  PT @TA UDS DGS SGO ID IG RthJA TJ TSTG 17854
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP PT @TC DP UDS UDG USG IG RthJC TJ TSTG Ref *?
mW°CmW/KW°CmW/K VVVmA K/W°C°C
MPF111  200252.0--- 20202010 -125–65..
+135
Mot70
200252.01.0258.0 20202010 125–65..
+150
–65..
+135
Mot74
  PT @TA DP PT @TC DP UDS UDG USG IG RthJC TJ TSTG 17615
mW°CmW/KW°CmW/K VVVmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TC PT @TA UDGO DSO SGO RthJA thJC TJ TSTG TL Ref *?
W°CmW°C VVV K/W°C
2N4360  0.5
0.3
25
65
20025 202020 500200125–55..
+125
260 Fsc73
  PT @TC PT @TA UDGO DSO SGO RthJA thJC TJ TSTG TL 17847
W°CmW°C VVV K/W°C

UDG, UDS = 25 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDG USG IG TJ TSTG TL Ref *?
mW°CmW/K VVmA °C°C°C
E308 
E309
E310
350253.5 252510 –55..
+125
–55..
+125
300 Sil74
J308 
J309
J310
350253.5 252510 –55..
+125
–55..
+150
- Sil74
360253.27 252510 –55..
+135
–55..
+150
- Sil89
U308 
U309
U310
500254.0 252520 -–65..
+150
300 Sil74
500254.0 252520 –55..
+150
–65..
+175
300 Sil89
  PT @TA DP UDG USG IG TJ TSTG TL 17629
mW°CmW/K VVmA °C°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDS UDG USG IG TCH TSTG Ref *?
mW°CmW/K VVVmA °C°C
MPF970 
MPF971
350252.8 25303010 –65..
+150
–65..
+150
Mot74
  PT @TA DP UDS UDG USG IG TCH TSTG 17615
mW°CmW/K VVVmA °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDS UDG USG IG TJ TSTG Ref *?
mW°CmW/K VVVmA °C°C
2N5457 
2N5458
2N5459
310252.82 252525- 135–65..
+150
Sil74
MPF820  625255.0 25252510 –65..
+150
–65..
+150
Mot74
  PT @TA DP UDS UDG USG IG TJ TSTG 17615
mW°CmW/K VVVmA °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
BF247  25025 25---10 <500150–65..
+150
Val80
BF246  30075 252525-10 <250150–65..
+150
Val80
  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG 15740
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGS SGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
2SJ108  20025 -25--10 -125–55..
+125
Tos83
2SJ107  20025 -25--10 500125–55..
+125
Tos83
2SJ74 
2SJ111
40025 -25--10 -125–55..
+125
Tos83
2SJ104  40025 -25--10 250125–55..
+125
Tos83
2SJ72  60025 -25--10 -125–55..
+125
Tos83
  PT @TA UDS DGS SGO ID IG RthJA TJ TSTG 17854
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP PT @TC DP UDS UDG USG IG RthJC TJ TSTG Ref *?
mW°CmW/KW°CmW/K VVVmA K/W°C°C
MPF112  200252.0--- 25252510 -125–65..
+135
Mot70
200252.01.0258.0 25252510 125–65..
+150
–65..
+135
Mot74
MPF102  310252.82--- 25252510 -125–65..
+150
Mot70
310252.821.0258.0 25252510 125–65..
+150
–65..
+150
Mot74
MPF108 
MPF109
310252.82--- 25252510 -–65..
+135
–65..
+150
Mot70
310252.821.0258.0 25252510 125–65..
+150
–65..
+150
Mot74
  PT @TA DP PT @TC DP UDS UDG USG IG RthJC TJ TSTG 17615
mW°CmW/KW°CmW/K VVVmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TC PT @TA UDGO DSO SGO RthJA thJC TJ TSTG TL Ref *?
W°CmW°C VVV K/W°C
2N4342 
2N4343
0.5
0.3
25
65
20025 252525 500200125–55..
+125
260 Fsc73
  PT @TC PT @TA UDGO DSO SGO RthJA thJC TJ TSTG TL 17847
W°CmW°C VVV K/W°C

UDG, UDS = 30 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDS UDG USG IG TCH TSTG Ref *?
mW°CmW/K VVVmA °C°C
MPF4391 
MPF4392
MPF4393
625255.0 30303050 –65..
+150
–65..
+150
Mot74
  PT @TA DP UDS UDG USG IG TCH TSTG 17615
mW°CmW/K VVVmA °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDS UDG USG IG TJ TSTG Ref *?
mW°CmW/K VVVmA °C°C
MPF256  350252.73 ±30303010 –65..
+150
–65..
+150
Mot74
  PT @TA DP UDS UDG USG IG TJ TSTG 17615
mW°CmW/K VVVmA °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDS UDG USG IG TSTG TL Ref *?
mW°CmW/K VVVmA °C°C
2N2606 
2N2607
2N2608
2N2609
300252.0 -303050 –65..
+200
- Sil74
2N2841 
2N2842
2N2843
2N2844
300252.0 -303050 –65..
+200
- Sil74
BF244  300252.4 ±3030-10 –55..
+150
260 Txi78
2N3089  400252.3 -303050 –65..
+200
- Sil74
  PT @TA DP UDS UDG USG IG TSTG TL 15903
mW°CmW/K VVVmA °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
BFW10 
BFW11
26545 3030302010 <590200–65..
+200
Val80
30025
BF245  30075 3030302510 <250150–65..
+150
Val80
BF256  30075 303030-10 <250150–65..
+150
Val80
  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG 15740
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGO SGS ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
2SK168  20025 -301.02010 625150–55..
+150
Hit99
  PT @TA UDS DGO SGS ID IG RthJA TJ TSTG 15902
mW°C VVVmAmA K/W°C°C

UDG, UDS = 40 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGS SGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
2SK366 
2SK370
2SK371
2SK372
20025 -40--10 500125–55..
+125
Tos83
2SK170  40025 -40--10 -125–55..
+125
Tos83
2SK363 
2SK364
2SK369
40025 -40--10 250125–55..
+125
Tos83
2SK147  60025 -40--10 -125–55..
+125
Tos83
  PT @TA UDS DGS SGO ID IG RthJA TJ TSTG 17854
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP PT @TC DP UDS UDG USG ID IG RthJC TJ TSTG Ref *?
mW°CmW/KW°CmW/K VVVmAmA K/W°C°C
MPF161  310252.82--- 4040402010 -–65..
+135
–65..
+150
Mot70
310252.821.0258.0 4040402010 125–65..
+150
–65..
+150
Mot74
  PT @TA DP PT @TC DP UDS UDG USG ID IG RthJC TJ TSTG 17615
mW°CmW/KW°CmW/K VVVmAmA K/W°C°C

UDG, UDS = 50 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDG USG IG TJ TSTG Ref *?
mW°CmW/K VVmA °C°C
2N3066 
2N3067
2N3068
300251.7 5050100 200–65..
+300
Sil74
2N3069 
2N3070
2N3071
350252.0 5050100 200–65..
+300
Sil74
  PT @TA DP UDG USG IG TJ TSTG 15740
mW°CmW/K VVmA °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGS SGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
2SK30ATM 
2SK118
10025 -50--10 1000125–55..
+125
Tos83
2SJ105  20025 -50--10 500125–55..
+125
Tos83
2SK184 
2SK330
2SK365
20025 -50--10 500125–55..
+125
Tos83
2SK112 
2SK113
25025 -50--10 500150–65..
+150
Tos83
2SJ103  30025 -50--10 -125–55..
+125
Tos83
2SK117 
2SK246
2SK362
30025 -50--10 333125–55..
+125
Tos83
  PT @TA UDS DGS SGO ID IG RthJA TJ TSTG 17854
mW°C VVVmAmA K/W°C°C

UDG, UDS = 100 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGS SGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
2SK367  20025 -100--10 500125–55..
+125
Tos83
2SK373  40025 -100--10 250125–55..
+125
Tos83
  PT @TA UDS DGS SGO ID IG RthJA TJ TSTG 17854
mW°C VVVmAmA K/W°C°C

9.3.2 Silizium-Sperrschicht-Leistungstypen
Silicon Junction Power Devices (JFETs)

Alle Angaben sind absolute Grenzwerte, wenn nichts anderes angegeben ist. Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

All values are absolute maximum ratings unless otherwise specified. Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

PT >= 3 W
Hoch - UpRunter - Down  PT @TC PT @TA UDG USG ID TJ TSTG Ref *?
W°CW°C VVA °C°C
P8000  3.0-1.2525 25250.15 -- Ukw78
  PT @TC PT @TA UDG USG ID TJ TSTG 15903
W°CW°C VVA °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TC DP UDG USG ID TJ TSTG Ref *?
W°CmW/K VVA °C°C
U244  102580 25250.9 –55..
+150
–65..
+150
Sil74
  PT @TC DP UDG USG ID TJ TSTG 15740
W°CmW/K VVA °C°C

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Copyright © 2016Franz Hamberger, Berlin, Germany

OC604 spez. ASY30 OA150 OC816 KT801B AF102 EM120 KT904B OA5
MP25B OA70 BU208 MGT108 OC612 ALZ10