KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data Last modified: 2020-06-09 (19942)

A Anhang
Appendix

A.1
Formelzeichen und Symbole
Formula Symbols and Parameter Names

a: Wirksame Fläche - Strahlungsempfindliche Fläche
Effective Area - Sensitive Area
Base: Anschlussschema
Pin Connection Diagram
bfb:
b21b:
Übertragungssuszeptanz vorwärts, in Basisschaltung. Imaginärteil der Vorwärtssteilheit y21b = g21b + j x b21b, enthält die Übertragungskapazität: b21b = x C21b
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Forward Transfer Susceptance. Imaginary Component of Forward Transfer Admittance y21b = g21b + j x b21b, includes Transfer Capacitance: b21b = x C21b
bfe:
b21e:
Übertragungssuszeptanz vorwärts, in Emitterschaltung. Imaginärteil der Vorwärtssteilheit y21e = g21e + j x b21e, enthält die Übertragungskapazität: b21e = x C21e
Small-Signal Emitter-Base Short-Circuit Forward Transfer Susceptance. Imaginary Component of Forward Transfer Admittance y21e = g21e + j x b21e, includes Transfer Capacitance: b21e = x C21e
bib:
b11b:
Kurzschluss-Eingangssuszeptanz in Basisschaltung. Imaginärteil der Eingangsadmittanz y11b = g11b + j x b11b, enthält die Eingangskapazität: b11b = x C11b
Small-Signal Common-Base Input Susceptance. Imaginary Component of Input Admittance y11b = g11b + j x b11b, includes Input Capacitance: b11b = x C11b
bie:
b11e:
Kurzschluss-Eingangssuszeptanz in Emitterschaltung. Imaginärteil der Eingangsadmittanz y11e = g11e + j x b11e, enthält die Eingangskapazität: b11e = x C11e
Small-Signal Common-Emitter Input Susceptance. Imaginary Component of Input Admittance y11e = g11e + j x b11e, includes Input Capacitance: b11e = x C11e
bob:
b22b:
Kurzschluss-Ausgangssuszeptanz in Basisschaltung. Imaginärteil der Ausgangsadmittanz y22b = g22b + j x b22b, enthält die Ausgangskapazität: b22b = x C22b
Small-Signal Common-Base Output Susceptance. Imaginary Component of Output Admittance y22b = g22b + j x b22b, includes Ouput Capacitance: b22b = x C22b
boe:
b22e:
Kurzschluss-Ausgangssuszeptanz in Emitterschaltung. Imaginärteil der Ausgangsadmittanz y22e = g22e + j x b22e, enthält die Ausgangskapazität: b22e = x C22e
Small-Signal Common-Emitter Output Susceptance. Imaginary Component of Output Admittance y22e = g22e + j x b22e, includes Ouput Capacitance: b22e = x C22e
brb:
b12b:
Übertragungssuszeptanz rückwärts, in Basisschaltung. Imaginärteil der Rückwärtssteilheit y12b = g12b + j x b12b, enthält die Rückwirkungskapazität: b12b = x C12b
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Reverse Transfer Susceptance. Imaginary Component of Reverse Transfer Admittance y12b = g12b + j x b12b, includes Feedback Capacitance: b12b = x C12b
bre:
b12e:
Übertragungssuszeptanz rückwärts, in Emitterschaltung. Imaginärteil der Rückwärtssteilheit y12e = g12e + j x b12e, enthält die Rückwirkungskapazität: b12e = x C12e
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Reverse Transfer Susceptance. Imaginary Component of Reverse Transfer Admittance y12e = g12e + j x b12e, includes Feedback Capacitance: b12e = x C12e
BW: Bandbreite (–3dB) - Frequenzgang
Bandwidth (–3dB) - Frequency Response
C: Kapazitätsänderung
Capacitance Change
C/T: Temperaturkoeffizient der Kapazität
Capacitance Temperature Coefficient
C1: Kondensator Nr.1 (Eingangskreis oder obere Sektion) - Eingangskondensator (Koppelkondensator)
Capacitor No.1 (Input Circuit or Upper Section) - Input Capacitor (Coupling or Blocking Capacitor)
C2: Kondensator Nr.2 (Ausgangskreis oder untere Sektion) - Ausgangskondensator (Koppelkondensator)
Capacitor No.2 (Output Circuit or Lower Section) - Output Capacitor (Coupling or Blocking Capacitor)
Case: Gehäuseform und Anschlussbild
Case Outline and Connection Diagram
CB: Basis-Koppelkondensator
Base Coupling Capacitor
Cb'c: Kollektor-Sperrschichtkapazität - Ausgangskapazität
Collector Capacitance - Output Capacitance
Cc: Kollektorkapazität 
Collector Capacitance
CCB: Kollektor-Basis-Kapazität
Collector-to-Base Capacitance
CCBO: Kollektor-Basis-Kapazität bei offenem Emitter (IE=0)
Collector-to-Base Capacitance at Open Emitter (IE=0)
Ccc: Kapazität zwischen Kollektor und Gehäuse
Collector-to-Case Capacitance
Ce: Emitterkapazität
Emitter Capacitance
CEBO: Emitter-Basis-Kapazität bei offenem Kollektor (Ic=0)
Emitter-to-Base Capacitance at Open Collector (Ic=0)
Cgd: Drain-Gate-Kapazität
Drain-Gate Capacitance
Cgs: Gate-Source-Kapazität
Gate-Source Capacitance
Cib:
C11b:
Eingangskapazität in Basisschaltung
Common-Base Input Capacitance
Cibo:
Cib:
Eingangskapazität bei offenem Kollektor (Ic=0)
Input Capacitance at Open Collector (Ic=0)
Cie:
C11e:
Eingangskapazität in Emitterschaltung
Common-Emitter Input Capacitance
CIN: Äquivalente Parallel-Eingangskapazität
Parallel Equivalent Input Capacitance
Ciss: Eingangskapazität in Source-Schaltung bei Gate-Source-Gleichspannung UGS=0
Common-Source Input Capacitance at Zero DC Gate-Source Voltage (UGS=0)
CKL: Ladekondensator
Filter-Input Capacitor
CL: Lastkapazität - Kapazitive Last
Load Capacitance - Capacitive Load
CM/Co: Verhältnis von maximaler durch minimale Kapazität bei Kapazitätsdioden
Maximum by Minimum Capacitance Ratio of Variable-Capacitance Diodes
CMD: Kreuzmodulationsverzerrungen
Cross-Modulation Distortion
Cob:
C22b:
Ausgangskapazität in Basisschaltung, Eingang kurzgeschlossen
Common-Base Output Capacitance
Cobo:
Cob:
Ausgangskapazität bei offenem Emitter (IE=0)
Output Capacitance at Open Emitter (IE=0)
Co/CM: Verhältnis von minimaler durch maximale Kapazität bei Kapazitätsdioden
Minimum by Maximum Capacitance Ratio of Variable-Capacitance Diodes
Coe:
C22e:
Ausgangskapazität in Emitterschaltung
Common-Emitter Output Capacitance
Coss: Ausgangskapazität in Source-Schaltung bei Gate-Source-Gleichspannung UGS=0
Common-Source Output Capacitance at Zero DC Gate-Source Voltage (UGS=0)
COUT: Äquivalente Parallel-Ausgangskapazität
Parallel Equivalent Output Capacitance
CP: Parallelkondensator - Transientenschutz-Kondensator
Parallel Capacitor - Transient Protection Capacitor
CR: Diodenkapazität in Sperrrichtung
Diode Capacitance at Reverse Bias
Crb:
C12b:
Rückwirkungskapazität in Basisschaltung
Common-Base Reverse Transfer Capacitance - Feedback Capacitance
Cre:
C12e:
Rückwirkungskapazität in Emitterschaltung
Common-Emitter Reverse Transfer Capacitance - Feedback Capacitance
Cres: Kapazität im Resonanzkreis
Resonating Circuit Capacitance
Crss: Rückwirkungskapazität in Source-Schaltung bei Gate-Source-Gleichspannung UGS=0
Common-Source Reverse Transfer Capacitance at Zero DC Gate-Source Voltage (UGS=0)
CT: Gesamtkapazität
Total Capacitance
CTR: Koppelfaktor (Stromübertragungsverhältnis) eines Optokopplers
Current Transfer Ratio of a photocoupler
CTV: Gesamtkapazität im Talspannungsminimum
Total Valley-Point Capacitance
CV: Kapazität im Talspannungsminimum
Valley-Point Capacitance
d: Abstand
Distance
DI: Lineare Reduktion des zulässigen Stromes bei erhöhter Temperatur
Current Derating at Increased Temperature
-di/dt: Stromsteilheit
Current Slope
diF/dt: Stromsteilheit in Durchlassrichtung
Forward Current Slope
diT/dt: Stromsteilheit in Durchlassrichtung des Thyristors
Forward Current Slope of Thyristor
dI/dt: Stromsteilheit
Current Slope
Dim: Dimension, Einheit
Dimension
DP: Lineare Reduktion der Verlustleistung bei erhöhter Temperatur
Power Dissipation Derating at increased temperature
DPA: Lineare Reduktion der Verlustleistung bei erhöhter Temperatur, bedingt durch den Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung (DPA = 1 / RthJA)
Power Dissipation Derating at increased temperature due to the thermal resistance between junction and ambient (DPA = 1 / RthJA)
DPC: Lineare Reduktion der Verlustleistung bei erhöhter Temperatur, bedingt durch den Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse (DPC = 1 / RthJC)
Power Dissipation Derating at increased temperature due to the thermal resistance between junction and case (DPC = 1 / RthJC)
DU: Lineare Reduktion der zulässigen Spannung bei erhöhter Temperatur
Voltage Derating at Increased Temperature
EA: Lawinenenergie (auch periodisch, wen Tastverhältnis angegeben)
Avalanche Energy (also repetitive if duty cycle specified)
EAR: Periodische Lawinenenergie
Repetitive Avalanche Energy
EAS: Einmalige Lawinenenergie
Single, Non-Repetitive Avalanche Energy (Surge)
EM: Spitzenenergie
Peak Energy
EM (HF): HF-Spitzenenergie
RF Peak Energy
E (SB): Energie zum zweiten Durchbruch mit Basis-Emitter-Vorspannung in Sperrrichtung
Second-Breakdown Energy with Base Reverse Biased
E (SB)O: Energie zum zweiten Durchbruch bei offener Basis
Second-Breakdown Energy with Base Open
E (SB)R: Energie zum zweiten Durchbruch mit spezifiziertem Widerstand zwischen Basis und Emitter
Second-Breakdown Energy - Specified Base-Emitter Resistance
E (SB)X: Energie zum zweiten Durchbruch bei spezifiziertem Widerstand RBE zwischen Basis und Emitter und spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF) Glossar (deutsch)
Second-Breakdown Energy - Specified Base-Emitter Resistance RBE and Base Reverse Voltage UBE(OFF) Glossary (english)
eta: Kollektorwirkungsgrad = POUT / (Ucc x Ic)
Collector Efficiency = POUT / (Ucc x Ic)
     
f: Arbeitsfrequenz
Operating Frequency
 
f: Frequenzvariation - Bandbreite
Frequency Variation - Bandwidth
   
fLO: Frequenzabweichung des Hauptoszillators, Mischoszillators
Frequency Deviation of the Local Oscillator
F:
NF:
Rauschzahl Glossar (deutsch)
Noise Factor - Noise Figure
Facteur de bruit
 
F:
NF:
Rauschzahl in Source-Schaltung
Common-Source Noise Figure
Fc: Mischrauschzahl
Conversion Noise Figure
fhfb: Grenzfrequenz der Kurzschluss-Stromverstärkung in Basisschaltung
Common-Base Small-Signal Short-Circuit Forward Current Transfer Ratio Cut-Off Frequency
fhfe: Grenzfrequenz der Kurzschluss-Stromverstärkung in Emitterschaltung
Common-Emitter Small-Signal Short-Circuit Forward Current Transfer Ratio Cut-Off Frequency
FIF: Rauschzahl des ZF-Verstärkers
Noise Figure of the IF Amplifier
fIF: Zwischenfrequenz
Intermediate Frequency
fm: Modulationsfrequenz
Modulation Frequency
fmax: Obere Grenzfrequenz - Maximal nutzbare Arbeitsfrequenz
Cut-Off Frequency - Maximum Usable Operating Frequency
fmax: Schwingrenzfrequenz
Maximum Oscillating Frequency
Fréquence d'oscillation maximale
fP: Pulsfolgefrequenz
Pulse Frequency
fr: Serienresonanzfrequenz
Series-Resonant Frequency
fRF: Radiofrequenz
Radio Frequency
fT: Transitfrequenz
Transition Frequency - Current-Gain-Bandwidth Product
Fréquence de transition
 
fy21s:
fyfs:
Grenzfrequenz für Abfall der Vorwärtssteilheit in Source-Schaltung auf 70 % des Wertes bei 1 kHz (-3 dB)
Common-Source Forward Transfer Admittance Cut-Off Frequency to 70 % of the value at 1 kHz (-3 dB)
Gc: Mischverstärkung
Conversion Gain
gfb:
g21b:
Vorwärtssteilheit, Übertragungsleitwert vorwärts, in Basisschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz vorwärts y21b = g21b + j x b21b)
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Forward Transconductance (Real Component of Forward Transfer Admittance y21b = g21b + j x b21b)
gfe:
g21e:
Vorwärtssteilheit, Übertragungsleitwert vorwärts, in Emitterschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz vorwärts y21e = g21e + j x b21e)
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Forward Transconductance (Real Component of Forward Transfer Admittance y21e = g21e + j x b21e)
gFE: Gleichstrom-Steilheit in Emitterschaltung
Common-Emitter DC Transconductance
gfg: Vorwärts-Steilheit in Gate-Schaltung, Re(yfg) (Realteil der Übertragungsadmittanz vorwärts y21g = g21g + j x b21g)
Common-Gate Forward Transconductance, Re(yfg) (Real Component of Forward Transfer Admittance y21g = g21g + j x b21g)
gfs: Vorwärts-Steilheit in Source-Schaltung - Übertragungssteilheit, Re(yfs) (Realteil der Übertragungsadmittanz vorwärts y21s = g21s + j x b21s)
Common-Source Forward Transconductance, Re(yfs) (Real Component of Forward Transfer Admittance y21s = g21s + j x b21s)
GFS: Statische Vorwärts-Steilheit in Source-Schaltung - Übertragungssteilheit
Static Common-Source Forward Transconductance
gG: Generator-Ausgangsleitwert
Generator Output Conductance
Gi: Kleinsignal-Stromverstärkung
Small-Signal Insertion Current Gain
gib:
g11b:
Kurzschluss-Eingangsleitwert in Basisschaltung (Realteil der Eingangsadmittanz y11b = g11b + j x b11b)
Small-Signal Common-Base Input Conductance (Real Component of Input Admittance y11b = g11b + j x b11b)
1/gib:
1/g11b:
Eingangswiderstand in Basisschaltung (Realteil), Ausgang kurzgeschlossen
Small-Signal Common-Base Input Resistance (Real Component)
gie:
g11e:
Kurzschluss-Eingangsleitwert in Emitterschaltung (Realteil der Eingangsadmittanz y11e = g11e + j x b11e)
Small-Signal Common-Emitter Input Conductance (Real Component of Input Admittance y11e = g11e + j x b11e)
1/gie:
1/g11e:
Eingangswiderstand in Emitterschaltung (Realteil), Ausgang kurzgeschlossen
Small-Signal Common-Emitter Input Resistance (Real Component)
gig:
g11g:
Kurzschluss-Eingangsleitwert in Gate-Schaltung, Re(yig) (Realteil der Eingangsadmittanz y11g = g11g + j x b11g)
Common-Gate Input Conductance Re(yig) (Real Component of Input Admittance y11g = g11g + j x b11g)
gigs: Kurzschluss-Eingangsleitwert in Gate-Schaltung
Common-Gate Input Conductance
gis:
g11s:
Kurzschluss-Eingangsleitwert in Source-Schaltung, Re(yis) (Realteil der Eingangsadmittanz y11s = g11s + j x b11s)
Common-Source Input Conductance, Re(yis) (Real Component of Input Admittance y11s = g11s + j x b11s)
giss: Kurzschluss-Eingangsleitwert in Source-Schaltung
Common-Source Input Conductance
GK: Gegenkopplung
Negative Feedback
gL: Lastleitwert
Load Conductance
gm: Innerer Leitwert
Mutual Conductance
gob:
g22b:
Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Basisschaltung (Realteil der Ausgangsadmittanz y22b = g22b + j x b22b)
Small-Signal Common-Base Output Conductance (Real Component of Output Admittance y22b = g22b + j x b22b)
1/gob:
1/g22b:
Ausgangswiderstand in Basisschaltung (Realteil)
Small-Signal Common-Base Output Resistance (Real Component)
goe:
g22e:
Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Emitterschaltung (Realteil der Ausgangsadmittanz y22e = g22e + j x b22e)
Small-Signal Common-Emitter Output Conductance (Real Component of Output Admittance y22e = g22e + j x b22e)
1/goe:
1/g22e:
Ausgangswiderstand in Emitterschaltung (Realteil)
Small-Signal Common-Emitter Output Resistance (Real Component)
gog:
g22g:
Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Gate-Schaltung, Re(yog) (Realteil der Ausgangsadmittanz y22g = g22g + j x b22g)
Common-Gate Output Conductance, Re(yog) (Real Component of Output Admittance y22g = g22g + j x b22g)
gogs: Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Gate-Schaltung
Common-Gate Output Conductance
gos:
g22s:
Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Source-Schaltung, Re(yos) (Realteil der Ausgangsadmittanz y22s = g22s + j x b22s)
Common-Source Output Conductance, Re(yos) (Real Component of Output Admittance y22s = g22s + j x b22s)
goss: Kurzschluss-Ausgangsleitwert in Source-Schaltung
Common-Source Output Conductance
Gp: Kleinsignal-Leistungsverstärkung
Small-Signal Insertion Power Gain
GP: Grosssignal-Leistungsverstärkung
Large-Signal Insertion Power Gain
GPb: Leistungsverstärkung in Basisschaltung
Common-Base Power Gain
GPb: Änderung der Leistungsverstärkung in Basisschaltung
Change of Common-Base Power Gain
GPb (OPT): Optimal erzielbare Leistungsverstärkung in Basisschaltung, GPb (OPT) = |y21b|² / ( 4 x g11b x g22b )
Obtainable Common-Base Power Gain, GPb (OPT) = |y21b|² / ( 4 x g11b x g22b )
GPe: Leistungsverstärkung in Emitterschaltung
Common-Emitter Power Gain
GPe (OPT): Erzielbare Leistungsverstärkung in Emitterschaltung, GPe (OPT) = |y21e|² / ( 4 x g11e x g22e )
Obtainable Common-Emitter Power Gain, GPe (OPT) = |y21e|² / ( 4 x g11e x g22e )
GPE: Grosssignal-Leistungsverstärkung in Emitterschaltung
Large-Signal Common-Emitter Insertion Power Gain
GPg: Kleinsignal-Leistungsverstärkung in Gate-Schaltung
Small-Signal Common-Gate Insertion Power Gain, Common-Gate Power Gain
GPn: Leistung-Störabstand - Brumm- und Rauschpegel unterhalb der Ausgangsleistung
Signal-to-Noise Power Ratio - Hum and Noise Level below Output Power
GPrb: Leistungsverstärkung rückwärts in Basisschaltung
Common-Base Reverse Power Gain
GPs: Kleinsignal-Leistungsverstärkung in Source-Schaltung
Small-Signal Common-Source Power Gain
grb:
g12b:
Rückwärtssteilheit, Übertragungsleitwert rückwärts, in Basisschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz rückwärts y12b = g12b + j x b12b)
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Reverse Transfer Conductance (Real Component of Reverse Transfer Admittance y12b = g12b + j x b12b)
1/grb:
1/g12b:
Rückwirkungswiderstand in Basisschaltung (Realteil)
Small-Signal Common-Base Reverse Transfer Resistance (Real Component)
gre:
g12e:
Rückwärtssteilheit, Übertragungsleitwert rückwärts, in Emitterschaltung (Realteil der Übertragungsadmittanz rückwärts y12e = g12e + j x b12e)
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Reverse Transfer Conductance (Real Component of Reverse Transfer Admittance y12e = g12e + j x b12e)
1/gre:
1/g12e:
Rückwirkungswiderstand in Emitterschaltung (Realteil)
Small-Signal Common-Emitter Reverse Transfer Resistance (Real Component)
grs: Rückwärts-Steilheit in Source-Schaltung, Re(yrs) (Realteil der Übertragungsadmittanz rückwärts y12s = g12s + j x b12s)
Common-Source Reverse Transfer Conductance, Re(yrs) (Real Component of Reverse Transfer Admittance y12s = g12s + j x b12s)
Gu: Änderung der Spannungsverstärkung - Frequenzgang
Change of Voltage Gain - Frequency Response
Gue: Spannungsverstärkung in Emitterschaltung
Common-Emitter Voltage Gain
hfb:
h21b:
Kurzschluss-Stromverstärkung in Basisschaltung
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Forward-Current Transfer Ratio
hfe:
h21e:
Kurzschluss-Stromverstärkung in Emitterschaltung
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Forward-Current Transfer Ratio
   
hFE:
h21E:
Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung
Common-Emitter DC Current Gain
hFE2/hFE1: Gleichstromverstärkungs-Verhältnis in Emitterschaltung bei verschiedenen Arbeitspunkten
Common-Emitter DC Current Gain Ratio at Different Bias Conditions
hib:
h11b:
Kurzschluss-Eingangswiderstand in Basisschaltung
Small-Signal Common-Base Short-Circuit Input Impedance
hie:
h11e:
Kurzschluss-Eingangswiderstand in Emitterschaltung
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Input Impedance
hIE:
h11E:
Statischer Eingangswiderstand in Emitterschaltung
Common-Emitter Static Input Resistance
Re(hie):
Re(h11e):
Eingangswiderstand - Realteil der Kurzschluss-Eingangsimpedanz in Emitterschaltung
Input Resistance - Real Part of Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Input Impedance
hob:
h22b:
Leerlauf-Ausgangsleitwert in Basisschaltung
Small-Signal Common-Base Open-Circuit Output Admittance
hoe:
h22e:
Leerlauf-Ausgangsleitwert in Emitterschaltung
Small-Signal Common-Emitter Open-Circuit Output Admittance
hrb:
h12b:
Leerlauf-Spannungsrückwirkung in Basisschaltung
Small-Signal Common-Base Open-Circuit Reverse-Voltage Transfer Ratio
|hrb|:
|h12b|:
Betrag der Leerlauf-Spannungsrückwirkung in Basisschaltung
Magnitude of Small-Signal Common-Base Open-Circuit Reverse-Voltage Transfer Ratio
|hrb|/:
|h12b|/:
Kollektor-Rückwirkungs-Zeitkonstante (in Basisschaltung)
Common-Base Collector Reverse Transfer Time Constant
hre:
h12e:
Leerlauf-Spannungsrückwirkung in Emitterschaltung
Small-Signal Common-Emitter Open-Circuit Reverse-Voltage Transfer Ratio
I2: Sekundärer Strom - Treiberstrom
Secondary Current - Driver Current
IAR: Periodischer Lawinenstrom
Repetitive Avalanche Current
IB: Basisstrom
Base Current
Courant de base
 
IBB: Eingangsfehlstrom, äquivalenter Driftstrom |IB1-IB2| wenn UBE1=UBE2 (beim Differenzverstärker)
Input Offset Current, Equivalent Drift Current (Differential Amplifier)
IBB/T: Temperaturkoeffizient des Eingangsfehlstroms, äquivalenten Driftstromes (beim Differenzverstärker)
Input Offset Current, Equivalent Drift Current Temperature Coefficient (Differential Amplifier)
IBEV: Basis-Sperrstrom bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
Base-Cutoff Current - Specified Base Reverse-Bias Voltage UBE(OFF)
IBF: Basisstrom in Durchlassrichtung
Base Forward Current
IBFM: Scheitelwert des Basisstroms in Durchlassrichtung
Peak Base Forward Current
IBM: Scheitelwert des Basisstroms
Peak Base Current
Courant de base crête
IB(OFF): Basis-Ausräumstrom - Ausschalt-Basisstrom - Basisstrom im gesperrten Zustand
Switch-Off Base Current - Off-State Base Current
IB(ON): Einschalt-Basisstrom - Basisstrom im leitenden Zustand
Switch-On Base Current - On-State Base Current
IBR: Basisstrom in Sperrrichtung
Base Reverse Current
IBMR: Scheitelwert des Basisstroms in Sperrrichtung - Basis-Ausschaltstrom
Peak Base Reverse Current - Base turn-off current
I(BR)RM: Scheitelwert des Durchbruchstroms in Sperrrichtung
Peak Reverse Breakdown Current
Ic: Kollektorstrom 
Collector Current
Courant de collecteur
 
IC1: Kollektorstrom im ersten Arbeitspunkt
Collector Current at First Bias Condition
IC1/IC2: Verhältnis der Kollektorströme (beim Differenzverstärker)
Collector Current Ratio (Differential Amplifier)
IC2: Kollektorstrom im zweiten Arbeitspunkt
Collector Current at Second Bias Condition
IC (AGC): Kollektorstrom bei Regelung
Collector Current with AGC
ICAV: Kollektorstrom-Mittelwert
Average Collector Current
ICBO: Kollektor-Reststrom bei offenem Emitter (IE=0)
Collector-Cutoff Current at Open Emitter (IE=0)
   
ICBV: Kollektor-Reststrom bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
Collector-Cutoff Current - Specified Base Reverse-Bias Voltage UBE(OFF)
ICBX: Kollektor-Reststrom bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
Collector-Cutoff Current - Specified Base-Emitter Circuit
Icc: Kollektor-Betriebsstrom
Collector Supply Current
ICEO: Kollektor-Reststrom bei offener Basis (IB=0)
Collector Cutoff Current with Base Open (IB=0)
ICER: Kollektor-Reststrom bei spezifiziertem Widerstand zwischen Basis und Emitter
Collector-Cutoff Current - Specified Base-Emitter Resistance
ICERM: Scheitelwert des Kollektor-Reststroms bei spezifiziertem Widerstand zwischen Basis und Emitter
Peak Collector-Cutoff Current - Specified Base-Emitter Resistance
ICES: Kollektor-Reststrom bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
Collector Cutoff Current - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
ICEV: Kollektor-Reststrom bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
Collector-Cutoff Current - Specified Base Reverse-Bias Voltage UBE(OFF)
ICEX: Kollektor-Reststrom bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
Collector-Cutoff Cutoff Current - Specified Base-Emitter Circuit
ICEXM: Scheitelwert des Kollektor-Reststroms bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
Peak Collector-Cutoff Cutoff Current - Specified Base-Emitter Circuit
ICM: Kollektorspitzenstrom - Scheitelwert des Kollektorstroms
Peak Collector Current
Courant de collecteur crête
   
ICMR: Scheitelwert des Kollektorstroms in Sperrrichtung
Peak Collector Reverse Current
ICRM: Periodischer Kollektorspitzenstrom in Durchlassrichtung
Repetitive Peak Forward Collector Current - Recurrent Peak Forward Collector Current
IC (SB):
ICSB:
Kollektorstrom bei zweitem Durchbruch mit Basis-Emitter-Vorspannung in Durchlassrichtung und nichtperiodischem Impuls von tP = 1.0 s Dauer Glossar (deutsch)
Second-Breakdown Collector Current with Base Forward Biased and Nonrepetitive Pulse of tP = 1.0 s Duration Glossary (english)
ICSM: Kollektorspitzenstrom (Stossstrom)
Nonrepetitive Peak Collector Current, Surge Current
Icz: Kollektorstrom im Durchbruchsgebiet
Collector Current at Avalanche Condition
ID: Drain-Strom
Drain Current
ID (OFF): Drain-Sperrstrom
Drain Cutoff Current
ID (ON): Drain-Durchlassstrom im leitenden Zustand
On-State Drain Current
IDA: Drain-Lawinenstrom
Drain Avalanche Current
IDM: Drain-Spitzenstrom (gepulst) - Scheitelwert des Drain-Stroms
Peak Drain Current (pulsed)
IDSS: Drain-Sättigungsstrom - Drain-Reststrom - Gate mit Source verbunden (UGS=0)
Drain Saturation Current - Drain Cutoff Current - Gate Shorted to Source (UGS=0)
IDSV: Drain-Reststrom bei spezifizierter Gate-Source-Spannung UGS (OFF)
Drain Cutoff Current - Specified Gate-Source Voltage UGS (OFF)
IE: Emitterrstrom
Emitter Current
 
IEAV: Emitterstrom-Mittelwert
Average Emitter Current
IEBO: Emitter-Reststrom bei offenem Kollektor (IC=0)
Emitter-Cutoff Current with Collector Open (IC=0)
   
IEBV: Emitter-Reststrom bei spezifizierter Kollektorspannung UcE
Emitter-Cutoff Current - Specified Collector Voltage UcE
IEE: Gemeinsamer Emitterstrom (beim Differenzverstärker)
Common Emitter Current (Differential Amplifier)
IEM: Scheitelwert des Emitterrstroms
Peak Emitter Current
IER: Emitterstrom in Sperrrichtung
Emitter Reverse Current
IERM: Scheitelwert des Emitterstroms in Sperrrichtung
Peak Emitter Reverse Current
IF: Durchlassstrom
Forward Current
IF/T: Temperaturkoeffizient des Durchlassstroms
Forward Current Temperature Coefficient
IFAV: Mittelwert des Durchlassstroms - Richtstrom bei Gleichrichter mit R-Last
Average Forward Current - Rectified Current at Resistive Load
IFM: Scheitelwert des Durchlassstroms - Spitzenstrom in Durchlassrichtung
Peak Forward Current
IFRM: Periodischer Spitzenstrom in Durchlassrichtung
Repetitive Peak Forward Current - Recurrent Peak Forward Current
IF(RMS): Effektiver Durchlassstrom
RMS Forward Current
IFSM: Stossstrom für t<1s in Durchlassrichtung - Scheitelwert einer sinusförmigen Stromhalbwelle bei 50Hz-Betrieb
Nonrepetitive Peak Forward Current, Surge Current at t<1s
IG: Gate-Strom
Gate Current
IG1: Gate-1-Strom
Gate-No.1 Current
IG1M: Gate-1-Spitzenstrom
Peak Gate-No.1 Current
IG1SM: Gate-1-Source-Spitzenstrom
Peak Gate-No.1 to Source Current
IG2: Gate-2-Strom
Gate-No.2 Current
IG2M: Gate-2-Spitzenstrom
Peak Gate-No.2 Current
IG2SM: Gate-2-Source-Spitzenstrom
Peak Gate-No.2 to Source Current
IGM: Spitzenwert der Gate-Steuerstromes
Peak Gate Input Current
IGSS: Gate-Sperrstrom - Gate-Source-Leckstrom - Drain mit Source verbunden (UDS=0)
Gate Reverse Current - Gate-Source Leakage Current - Drain Shorted to Source (UDS=0)
IGT: Gate-Trigger-Strom
Gate Trigger Current
Ii~: Eingangswechselstrom
AC Input Current
IK=: Gleichgerichteter Ausgangsstrom
Half-Wave Rectified Output Current
IMD: Intermodulationsverzerrungen
Intermodulation Distortion
Io: Richtstrom - Arithmetischer Mittelwert des Durchlassstromes bei Gleichrichtung sinusförmiger Wechselspannungen
Average Forward Current by a rectified sine-wave voltage
IP: Höckerstrom
Peak-Point Current
IR: Sperrstrom
Reverse Current
IR: Dynamische Änderung des Sperrstroms (durch Wechselstromkomponente)
Dynamic Change of Reverse Current (by AC Component)
IRM: Scheitelwert des Sperrstroms - Spitzen-Sperrstrom (gepulst)
Peak Reverse Current (pulsed)
IRM(REC): Scheitelwert des Sperrverzögerungsstroms
Peak Reverse Recovery Current
irr: Messstrom nach Sperrverzögerungszeit
Reverse Recovery Time Measuring Current
IRRM: Periodischer Spitzenstrom in Sperrrichtung - Rückstromspitze
Repetitive Peak Reverse Current
IT: Thyristor-Dauergleichstrom bei Widerstandslast
Continuous DC Forward Current at Resistive Load
ITAV: Thyristor-Dauergrenzstrom bei 180° Stromflusswinkel und Widerstandslast
Average Forward Current at 180° Conduction Angle, Resistive Load
ITRM: Thyristor, periodischer Spitzenstrom
Repetitive Peak Forward Current
IT(RMS): Effektivwert des Durchlassstroms bei Thyristor
Thyristor RMS Forward Current
ITSM: Thyristor, Stossstrom für eine 50- oder 60-Hz-Sinushalbwelle
Peak Surge Current at One Half Cycle 50Hz or 60Hz
IV: Talstrom
Valley-Point Current
Iz: Zener-Strom 
Zener Current
IZM: Scheitelwert des Zener-Stroms
Peak Zener Current - Peak working current
IZRM: Periodischer Spitzenstrom in Zenerdiodenbetrieb
Repetitive peak working current - Zener current
IZSM: Durchbruch-Stossstrom bei Zenerdioden, Überlastungsstromstoss für t<1s
Nonrepetitive Peak Zener Current, Surge Current at t<1s
k: Klirrfaktor
Total Harmonic Distortions
Distorsion totale
   
L: Induktivität
Inductance
LB: Induktivität im Basiskreis
Base-Circuit Inductance
Lc: Induktivität im Kollektorkreis 
Collector-Circuit Inductance
LD: Innere Drain-Induktivität
Internal Drain Inductance
Ls: Serieninduktivität
Series Inductance
LS: Innere Source-Induktivität
Internal Source Inductance
m: Modulationsfaktor
Modulation Factor
MAX
max.
Maximalwert
Maximal Rating
MIN
min.
Minimalwert
Minimal Rating
NOM
nom.
Nominalwert
Nominal Rating
P: Leistungsabfall
Power loss - Power reduction
Pc: Kollektorverlustleistung
Collector Power Dissipation
PIN: Eingangsleistung - Treiberleistung
Power Input - Driving Power
PG: Mittelwert der Gate-Steuerleistung
Average Gate Input Power
PGM: Spitzenwert der Gate-Steuerleistung
Peak Gate Input Power
Pin(RF): Hochfrequenz-Eingangsleistung
Radio-Frequency Power Input
PM: Impuls-Spitzenleistung
Pulsed Peak Power
Pob: Ausgangsleistung in Basisschaltung
Power Output in Common-Base Circuit
Pol. Polarität: N = N-Kanal-Typ, N-S = N-Kanal-Typ mit symmetrischer Geometrie (Source und Drain sind vertauschbar), P = P-Kanal-Typ, P-S = P-Kanal-Typ mit symmetrischer Geometrie
Polarity: N = N-Channel Type, N-S = N-Channel Type with Symmetrical Geometry (Source and Drain Can Be Interchanged), P = P-Channel Type, P-S = P-Channel Type with Symmetrical Geometry
POUT: Ausgangsleistung
Power Output
PRRM: Periodische Spitzen-Sperrverlustleistung
Repetitive Peak Reverse Power Dissipation
PRSM: Scheitelwert der Verlustleistung durch kurzzeitige Transienten in Sperrrichtung
Nonrepetitive Peak Reverse Power Dissipation by Transients
PT: Gesamtverlustleistung
Total Power Dissipation
PZRM: Periodische Spitzenverlustleistung einer in Sperrichtung betriebenen Zenerdiode
Repetitive peak reverse power dissipation of zener diode
PZSM: Nichtperiodische Spitzenverlustleistung einer in Sperrichtung betriebenen Zenerdiode
Non-repetitive peak reverse power dissipation of zener diode
Q: Güte
Figure of Merit
Qg: Gate-Gesamtladung (Gate-Source + Gate-Drain)
Total Gate Charge (Gate-Source + Gate-Drain)
Qgd: Gate-Drain-Ladung (Miller-Ladung)
Gate-Drain ('Miller') Charge
Qgs: Gate-Source-Ladung
Gate-Source Charge
Qrr: Sperrverzögerungsladung
Reverse Recovery Charge
Qs: Sperrverzugsladung - Gespeicherte Ladung
Stored Charge
Qsb: Gespeicherte Basis-Ladung
Stored Base Charge
R: Widerstand
Resistance
R1: Erster (oberer) Spannungsteilerwiderstand - Eingangswiderstand
(Upper) Voltage-Divider Resistor No.1 - Input Resistor
R11e:
Rie:
Eingangswiderstand in Emitterschaltung
Common-Emitter Input Resistance
R2: Zweiter (unterer) Spannungsteilerwiderstand - Ausgangswiderstand
(Lower) Voltage-Divider Resistor No.2 - Output Resistor
R22e:
Roe:
Ausgangswiderstand in Emitterschaltung
Common-Emitter Output Resistance
RA: (Effektiver) Widerstand in der Anodenleitung Glossar (deutsch)
Effective Anode-Supply Impedance per Anode
RB: Widerstand im Basiskreis - Basis-Vorwiderstand
Base Circuit Resistance - Base Series Resistance
RBB: Widerstand im Basiskreis
Base Circuit Resistance
rbb': Basisbahnwiderstand
Base Spreading Resistance
rbb'•Cb'c: Rückwirkungszeitkonstante - Produkt aus Basisbahnwiderstand und Kollektor-Kapazität
Reverse Transfer Time Constant - Product of Base Spreading Resistance with Collector Capacitance
       
rbb'•Cc: Kollektor-Zeitkonstante - Produkt aus Basisbahnwiderstand und Kollektor-Kapazität
Collector Time Constant - Product of Base Spreading Resistance with Collector Capacitance
RBE: Basis-Emitter-Widerstand
Base-to-Emitter Resistance
Rc: Kollektorwiderstand 
Collector Resistance
RCL: Kollektor-Lastwiderstand - Lastimpedanz
Collector Load Resistance - Impedance
RCCL: Lastwiderstand zwischen beiden Kollektoren - Lastimpedanz einer Gegentakt-Schaltung
Collector-to-Collector Load Resistance - Impedance of Push-Pull Circuit
Rd: Dämpfungswiderstand
Damping Resistance
RD: Drain-Widerstand
Drain Resistance
RDS (ON): Statischer Drain-Source-Durchlasswiderstand
Static Drain-Source On-State Resistance
rDS (ON): Dynamischer oder Kleinsignal-Drain-Source-Durchlasswiderstand
Dynamic or Small-Signal Drain-Source On-State Resistance
RDS (ON)
/T:
Temperaturkoeffizient des statischen Drain-Source-Durchlasswiderstands
Change in Static Drain-Source On-State Resistance with Temperature (Temperature Coefficient)
RE: Emitterwiderstand
Emitter Resistance
REE: Gemeinsamer Emitterwiderstand (beim Differenzverstärker)
Common Emitter Resistance (Differential Amplifier)
rf: Differentieller Widerstand in Durchlassrichtung
Differential Forward Resistance
RF: Statischer Durchlasswiderstand
Static Forward Resistance
RG: Gate-Vorwiderstand
Gate Series Resistor
RG: Generator-Innenwiderstand
Generator Internal Resistance
RGK: Gate-Katode-Widerstand
Gate-to-Cathode Resistance
RGS: Gate-Source-Widerstand
Gate-Source Resistance
RGSS: Gate-Source-Eingangswiderstand - Drain mit Source verbunden (UDS=0)
Gate-Source Input Resistance - Drain Shorted to Source (UDS=0)
RIN: Äquivalenter Parallel-Eingangswiderstand
Parallel Equivalent Input Resistance
RIN(B): Basis-Eingangswiderstand - Impedanz
Base Input Resistance - Impedance
RIN(BB): Basis-zu-Basis-Eingangswiderstand - Impedanz einer Gegentakt-Schaltung
Base-to-Base Input Resistance - Impedance of Push-Pull Circuit
RL: Lastwiderstand
Load Resistance
Rp: Sperrwiderstand
Reverse Resistance
rr: Differentieller Widerstand in Sperrrichtung
Differential Reverse Resistance
RR: Statischer Sperrwiderstand
Static Reverse Resistance
rs: Dynamischer Serienwiderstand
Dynamic Series Resistance
Rs: Serienwiderstand
Series Resistance
RS: Source-Widerstand
Source Resistance
rs•CT: Zeitkonstante Produkt aus Kapazität und Serienwiderstand bei Kapazitätsdioden
Time Constant Product of Capacitance with Series Resistance of Variable-Capacitance Diodes
RthCA: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung (kann den thermischen Widerstand eines Kühlblechs enthalten)
Thermal Resistance - Case to Ambient (may include the thermal resistance of a heat sink)
RthCIS: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Kühlkörper mit Isolation durch Glimmerscheibe
Thermal Resistance - Case to Heat Sink with Insulation by Mica Washer
RthCS: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Kühlkörper
Thermal Resistance - Case to Heat Sink
RthJA: Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung
Thermal Resistance - Junction to Ambient
RthJC: Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse
Thermal Resistance - Junction to Case
RthJM: Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Montagefläche (Gehäuseboden)
Thermal Resistance - Junction to Mounting Base
RthMS: Wärmewiderstand zwischen Montagefläche (Gehäuseboden) und Kühlkörper
Thermal Resistance - Mounting Base to Heat Sink
RthJS: Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Kühlblech oder Befestigungsstellen
Thermal Resistance - Junction to Heat Sink or Junction to Mounting Points
rz: Dynamischer Zener-Widerstand
Dynamic Zener Resistance
s: Eingangsanpassung
Input Matching
s: Sättigungsfaktor, Übersteuerung bei Schalttransistoren s = hFE x IB / Ic
Saturation Factor, Overdriving Switching Transistors s = hFE x IB / Ic
s: Welligkeitsfaktor, Stehwellenverhältnis
Voltage Standing-Wave Ratio (VSWR)
sfb:
s21b:
Vorwärts-Übertragungsfaktor in Basisschaltung
Common-Base Forward Transmission Coefficient
sfe:
s21e:
Vorwärts-Übertragungsfaktor in Emitterschaltung
Common-Emitter Forward Transmission Coefficient
sib:
s11b:
Eingangs-Reflexionsfaktor in Basisschaltung
Common-Base Input Reflection Coefficient
sie:
s11e:
Eingangs-Reflexionsfaktor in Emitterschaltung
Common-Emitter Input Reflection Coefficient
sob:
s22b:
Ausgangs-Reflexionsfaktor in Basisschaltung
Common-Base Output Reflection Coefficient
soe:
s22e:
Ausgangs-Reflexionsfaktor in Emitterschaltung
Common-Emitter Output Reflection Coefficient
srb:
s12b:
Rückwärts-Übertragungsfaktor in Basisschaltung
Common-Base Reverse Transmission Coefficient
sre:
s12e:
Rückwärts-Übertragungsfaktor in Emitterschaltung
Common-Emitter Reverse Transmission Coefficient
S/N: Störabstand
Signal-to-Noise Ratio
t: Zeitdauer
Time - Duration
T: Temperatur, Arbeitstemperatur, Betriebstemperatur
Temperature, Working Temperature, Operating Temperature
 
TA: Umgebungstemperatur
Ambient Temperature
   
tAV: Integrationszeit
Averaging Time
Tc: Gehäusetemperatur 
Case Temperature
 
TCH: Zulässiger Kanaltemperatur-Arbeitsbereich
Operating Channel Temperature Range
td: Verzögerungszeit
Delay Time
td (OFF): Ausschalt-Verzögerungszeit
Turn-Off Delay Time
td (ON): Einschalt-Verzögerungszeit
Turn-On Delay Time
tf: Abfallzeit
Fall Time
tfr: Vorwärtserholzeit - Durchlassverzögerungszeit
Forward Recovery Time
TJ: Sperrschichttemperatur bei Bipolartransistoren und Thyristoren - Kanaltemperatur bei (unipolaren) Feldeffekt-Transistoren
Junction Temperature of Bipolar Transistors and Thyristors - Channel Temperature of (Unipolar) Field-Effect Transistors
TL: Löttemperatur
Lead temperature for soldering purposes - Lead-Soldering Temperature (10 s max)
 
TL: Drahttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuseboden (bzw. für 10 Sekunden 1,6 mm vom Gehäuseboden entfernt)
Lead Temperature for soldering purposes at distance d from case or from seating plane for t seconds maximum (resp. 1/16 inch from seating plane for 10 seconds)
TL: Drahttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuse (bzw. für 10 Sekunden 5 mm vom Gehäuse entfernt)
Lead Temperature for soldering purposes at distance d from case or from seating plane for t seconds maximum (resp. 3/16 inch from case for 10 seconds)
TL: Drahttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuse mit Wärmeableiter zwischen Lötstelle und Gehäuse
Lead Temperature for soldering purposes at distance d from case for t seconds maximum, with heat-sink applied between case and point of soldering
TL: Löttemperatur für maximal 10 Sekunden, bei mindestens 5 mm Abstand vom Gehäuse mit Wärmeableiter zwischen Lötstelle und Gehäuse
Soldering Temperature at a minimum distance of 3/16 inch from case for 10 seconds maximum, with heat-sink applied between case and point of soldering
 
       
        
TL: Löttemperatur bei einem minimalen Abstand d vom Gehäuse für maximal t Sekunden, bzw. 2 mm vom Gehäuse (Aufsetzkante) entfernt für 5 Sekunden.
Soldering Temperature at a minimum distance d from case for t seconds maximum, resp. 2 mm from case (seating plane) for 5 seconds.
TL: Die maximal erlaubte Temperatur des Lötkolbens oder Lötbades darf nicht länger als 5 Sekunden mit der Lötstelle in Kontakt sein. Lötstellen müssen mindestens 5 mm vom Gehäuse (Ursprung, Einschmelzung des Anschlussdrahtes) entfernt sein.
The maximum permissible temperature of the soldering iron or bath: it must be in contact with the joint for no more than 5 seconds. Soldered joints must be at last 5 mm from the seal.
TL: Löttemperatur an Gehäuse und Anschlussdrähten für maximal 10 Sekunden.
Lead Temperature during soldering for 10 seconds maximum for case and leads.
TL: Maximale Anschlusstemperatur beim Löten, 3,2 mm vom Gehäuse für 5 Sekunden.
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 3.2 mm (1/8 Inch) from Case for 5 Seconds.
TL: Drahttemperatur beim Löten, 1,6 mm vom Gehäuse für 10 Sekunden (oder für t Sekunden, wenn t angegeben ist).
Solder Temperature, Lead Temperature 1.6 mm (1/16 Inch) from Case for 10 Seconds (or for t Seconds if t is specified).
TL: Drahttemperatur beim Löten, 3,2 mm vom Gehäuse für 10 Sekunden.
Lead Temperature 3.2 mm (1/8 Inch) from Case for 10 Seconds.
TL: Drahttemperatur beim Löten, 1,6 mm vom Gehäuse für 60 Sekunden.
Lead Temperature 1.6 mm (1/16 Inch) from Case for 60 Seconds.
TL: Drahttemperatur beim Löten, 2 mm vom Gehäuse für 10 Sekunden.
Lead Temperature 2 mm from Case for 10 Seconds.
TL: Maximal zulässige Löttemperatur bei einer minimalen Drahtlänge von 2,5 mm und einer maximalen Lötdauer von 2 Sekunden.
Maximum soldering temperature for 2 seconds, minimum lead length 2.5 mm.
tm: Lebensdauer der Minoritäts-Ladungsträger
Minority Carrier Lifetime
TM: Montageflächentemperatur
Mounting-Base Temperature
Tn/To: Rauschtemperatur-Verhältnis
Output Noise Temperature Ratio
tOFF: Ausschaltzeit = Speicherzeit + Abfallzeit
Turn-Off Time = Storage Time + Fall Time
tON: Einschaltzeit = Verzögerungszeit + Anstiegzeit
Turn-On Time = Delay Time + Rise Time
tP: Pulsdauer - Pulsbreite
Pulse Duration - Pulse Width
TP: Stifttemperatur beim Löten für maximal t Sekunden, Abstand d vom Gehäuseboden (bzw. für 10 Sekunden 0,8 mm vom Gehäuseboden entfernt)
Pin Temperature for soldering purposes at distance d from case or from seating plane for t seconds maximum (resp. 1/32 inch from seating plane for 10 seconds)
TP: Stifttemperatur beim Löten für maximal 5 Sekunden bei 3,17 mm Abstand vom Gehäuseboden
Pin temperature for soldering purposes at distance 1/8 inch from case or from seating plane for 5 seconds maximum duration
tPS: Pulsdauer - Pulsbreite eines Stossstroms oder einer Stossspannung
Pulse Duration - Pulse Width of a Current or Voltage Surge
tP/T: Tastverhältnis
Duty Cycle
tq: Rekombinationsszeit - Mittlere Ladungsträger-Lebensdauer
Recombination Time - Average Carrier Life-Time
tr: Anstiegsszeit
Rise Time
trr: Sperrverzögerungszeit
Reverse Recovery Time
ts: Speicherzeit
Storage Time
Ts: Kühlkörpertemperatur, Temperatur der Befestigungsstellen
Heat-Sink Temperature, Temperature of Mounting Points
TSTG: Lagerungstemperatur
Storage Temperature
tT: Übergangszeit - Gesamt-Schaltzeit = Verzögerungszeit + Anstiegzeit + Abfallzeit
Transition Time - Total Switching Time = Delay Time + Rise Time + Fall Time
TYP
typ.
Mittlerer Wert - Typischer Wert
Typical Value
UA~: Anodenwechselspannung
AC Anode Supply Voltage
UAK: Spannung zwischen Anode und Katode
Anode-to-Cathode Voltage
Ub: Betriebsspannung, Speisespannung (bezogen auf Masse)
DC Supply Voltage (referenced to ground)
Tension d'alimentation
     
UBB: Basis-Betriebsspannung
Base Supply Voltage
UBB: Eingangsfehlspannung, äquivalente Driftspannung |UBE1-UBE2| wenn IC1=IC2 (beim Differenzverstärker)
Input Offset Voltage, Equivalent Drift Voltage (Differential Amplifier)
UBB/T: Temperaturkoeffizient der Eingangsfehlspannung, äquivalenten Driftspannung (beim Differenzverstärker)
Input Offset Voltage, Equivalent Drift Voltage Temperature Coefficient (Differential Amplifier)
UBE: Basis-Emitter-Vorspannung
Base-Emitter Bias Voltage
UBE: Differenz der Basis-Emitter-Spannungen (beim Differenzverstärker)
Difference of Base-to-Emitter Voltages (Differential Amplifier)
UBE/T: Temperaturkoeffizient der Basis-Emitter-Spannung
Base-Emitter Voltage Temperature Coefficient
UBE(OFF): Basis-Emitter-Sperrspannung
Base-to-Emitter Off-State Voltage
UBE(ON): Basis-Emitter-Durchlass-Spannung
Base-to-Emitter On-State Voltage
UBES: Basis-Emitter-Restspannung bei kurzgeschlossener Kollektor-Basis-Strecke (UCB=0)
Base-to-Emitter On-State Voltage - Collector Shorted to Base (UCB=0)
UBE(SAT): Basis-Emitter-Restspannung in Sättigung
Base-to-Emitter Saturation Voltage
   
U(BR)CBO: Kollektor-Basis-Durchbruchspannung bei offenem Emitter (IE=0)
Collector-to-Base Breakdown Voltage at Open Emitter (IE=0)
U(BR)CEO: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei offener Basis (IB=0)
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage at Open Base (IB=0)
U(BR)CER: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei einem Widerstand zwischen Basis und Emitter
Collector-Emitter Breakdown Voltage - Specified Base-Emitter Resistance
U(BR)CES: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
U(BR)CEV: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF)
U(BR)CEX: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage - Specified Base-Emitter Circuit
U (BR) DGO: Drain-Gate-Durchbruchspannung bei offenem Source-Anschluss (Is=0)
Drain-Gate Breakdown Voltage at Open Source (Is=0)
U (BR) DSS: Drain-Source-Durchbruchspannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0)
Drain-Source Breakdown Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0)
U (BR) DSV: Drain-Source-Durchbruchspannung bei spezifizierter Gate-Source-Spannung UGS (OFF)
Drain-Source Breakdown Voltage - Specified Gate-Source Voltage UGS (OFF)
U(BR)EBO: Emitter-Basis-Durchbruchspannung bei offenem Kollektor (Ic=0)
Emitter-to-Base Breakdown Voltage at Open Collector (Ic=0)
U(BR)GSS: Gate-Source-Durchbruchspannung bei kurzgeschlossener Drain-Sorce-Strecke (UDs=0)
Gate-Source Breakdown Voltage - Drain Shorted to Source (UDs=0)
U(BR)KA: Durchbruchspannung zwischen Katode und Anode
Cathode-to-Anode Reverse Breakdown Voltage
U(BR)KAM: Scheitelwert der Durchbruchspannung zwischen Katode und Anode
Peak Cathode-to-Anode Reverse Breakdown Voltage
UCB: Kollektor-Basis-Spannung
Collector-to-Base Voltage
UCBM: Scheitelwert der Kollektor-Basis-Spannung
Peak Collector-to-Base Voltage
UCBO: Kollektor-Basis-Sperrspannung bei offenem Emitter (IE=0)
Collector-to-Base Cutoff Voltage at Open Emitter (IE=0)
UCBOM: Scheitelwert der Kollektor-Basis-Sperrspannung bei offenem Emitter (IE=0)
Peak Collector-to-Base Cutoff Voltage at Open Emitter (IE=0)
UCBOSM: Spitzenwert (Spannungsstoss bei Überschlägen) der Kollektor-Basis-Sperrspannung bei offenem Emitter (IE=0)
Nonrepetitive Peak Collector-to-Base Cutoff Voltage (Flash-over Surge Voltage) at Open Emitter (IE=0)
UCB(PT): Kollektor-Emitter-Sperrschicht-Berührungsspannung Glossar (deutsch)
Collector-to-Emitter Punch-Through Voltage Glossary (english)
UCBS: Kollektor-Basis-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
Collector-Base Cutoff Voltage - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
UCBV: Kollektor-Basis-Sperrspannung mit spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
Collector-to-Base Cutoff Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF)
UCC: Kollektor-Betriebsspannung 
Collector Supply Voltage
UCE: Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-to-Emitter Voltage
UCEM: Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Spannung
Peak Collector-to-Emitter Voltage
UCEO: Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei offener Basis (IB=0)
Collector-to-Emitter Cutoff Voltage at Open Base (IB=0)
UCEO (SUS): Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei offener Basis (IB=0) und induktiver Last LC im Kollektorkreis
Collector-to-Emitter Sustaining Voltage at Open Base (IB=0) with inductive load LC in the collector circuit
UCER: Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei einem Widerstand zwischen Basis und Emitter
Collector-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base-Emitter Resistance
UCER (SUS): Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei einem Widerstand zwischen Basis und Emitter und induktiver Last LC im Kollektorkreis
Collector-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base-Emitter Resistance with inductive load LC in the collector circuit
UCERM: Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei einem Widerstand zwischen Basis und Emitter
Peak Collector-Emitter Blocking Voltage - Specified Base-Emitter Resistance
UCES: Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
Collector-Emitter Cutoff Voltage - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
UCESM: Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
Peak Collector-Emitter Cutoff Voltage - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
UCESSM: Spitzenwert (Spannungsstoss bei Überschlägen) der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Basis-Emitter-Strecke (UBE=0)
Nonrepetitive Peak Collector-Emitter Cutoff Voltage (Surge Voltage) - Base Shorted to Emitter (UBE=0)
UCE(SAT): Kollektor-Emitter-Restspannung
Collector-Emitter Saturation Voltage
   
UCE(SHF): Hochfrequenz-Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Kollektor-Emitter-Restspannung, bei der die Kleinsignal-Verstärkung entlang der Lastgeraden auf 80% des Maximalwertes abgesunken ist
High-Frequency Collector-Emitter Saturation Voltage
UCEV: Kollektor-Emitter-Sperrspannung mit spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF)
UCEVM: Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung mit spezifizierter Basis-Sperrspannung UBE(OFF)
Peak Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base Reverse Voltage UBE(OFF)
UCEX: Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base-Emitter Circuit
UCEXM: Scheitelwert der Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei spezifizierter Beschaltung zwischen Basis und Emitter
Peak Collector-to-Emitter Cutoff Voltage - Specified Base-Emitter Circuit
UCL: Kollektor-Klemmspannung bei induktiver Last
Collector Clamping Voltage at Inductive Load
UCSO: Kollektor-Substrat-Sperrspannung
Collector-to-Substrate Cutoff Voltage
UD: Thyristorspannung in Durchlassrichtung bei ausgeschaltetem Zustand
Thyristor Off-State Forward Voltage
UDB: Drain-Bulk(Substrat)-Spannung
Drain-Bulk(Substrate) Voltage
UDD: Drain-Versorgungsspannung
Drain Supply Voltage
UDG: Drain-Gate-Spannung
Drain-Gate Voltage
UDG1O: Drain-Gate-1-Spannung bei offenem Source-Anschluss (Is=0)
Drain to Gate-No.1 Voltage at Open Source (Is=0)
UDG1S: Drain-Gate-1-Spannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0)
Drain to Gate-No.1 Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0)
UDG2O: Drain-Gate-2-Spannung bei offenem Source-Anschluss (Is=0)
Drain to Gate-No.2 Voltage at Open Source (Is=0)
UDG2S: Drain-Gate-2-Spannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0)
Drain to Gate-No.2 Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0)
UDGO: Drain-Gate-Spannung bei offenem Source-Anschluss (Is=0)
Drain-Gate Voltage at Open Source (Is=0)
UDGR: Drain-Gate-Spannung bei einem Widerstand RGS zwischen Gate und Source
Drain-Gate Voltage - Specified Gate-Source Resistance RGS
UDGS: Drain-Gate-Spannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0)
Drain-Gate Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0)
UDRM: Periodische Spitzenspannung in Durchlassrichtung bei ausgeschaltetem Zustand
Repetitive Peak Off-State Voltage
UDROM: Periodische Spitzenspannung in Durchlassrichtung bei ausgeschaltetem Zustand (offenes Gate)
Repetitive Peak Off-State Voltage (open gate)
UDS: Drain-Source-Spannung
Drain-Source Voltage
UDSM: Drain-Source-Spitzenspannung, nichtperiodisch
Nonrepetitive Drain-Source Peak Voltage
UDSO: Drain-Source-Durchbruchspannung bei offenem Gate-Anschluss (IG=0)
Drain to Source Breakdown Voltage with Open Gate (IG=0)
UDS (OFF): Drain-Source-Spannung im gesperrten Zustand
Drain-Source Off-State Voltage
UDSS: Drain-Source-Spannung bei kurzgeschlossener Gate-Source-Strecke (UGS=0)
Drain-Source Voltage - Gate Shorted to Source (UGS=0)
UDSV: Drain-Source-Spannung bei spezifizierter Gate-Source-Spannung UGS (OFF)
Drain-Source Voltage - Specified Gate-Source Voltage UGS (OFF)
UDSX: Drain-Source-Spannung bei spezifizierter Beschaltung zwischen Gate und Source
Drain-Source Voltage - Specified Gate-Source Circuit
UEB: Emitter-Basis-Spannung
DC Emitter-to-Base Voltage
UEB~: Emitter-Basis-Wechselspannung
AC Emitter-to-Base Voltage
UEBF
UEB(FL):
Emitter-Basis-Flussspannung, Emitter-Leerlaufspannung bei offenem Emitter (IE=0) Glossar (deutsch)
Emitter-to-Base Floating Potential at Open Emitter (IE=0) Glossary (english)
UEBM: Scheitelwert der Emitter-Basis-Spannung
Peak Emitter-to-Base Voltage
UEBO: Emitter-Basis-Sperrspannung bei offenem Kollektor (Ic=0)
Emitter-to-Base Cutoff Voltage at Open Collector (Ic=0)
UEBOM: Scheitelwert der Emitter-Basis-Sperrspannung bei offenem Kollektor (Ic=0)
Peak Emitter-to-Base Cutoff Voltage at Open Collector (Ic=0)
UEE: Emitter-Betriebsspannung
Emitter Supply Voltage
Uen:
en:
Equivalente Rauschspannung bei kurzgeschlossenem Eingang
Equivalent Short-Circuit Input Noise Voltage
UF: Durchlassspannung
Forward Voltage
UF/T: Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung
Forward Voltage Temperature Coefficient
UFM: Scheitelwert der Durchlassspannung (beim Einschalten)
Peak Forward Voltage
UFM(fr): Scheitelwert der Durchlassspannung durch Leitverzögerung
Peak Forward Recovery Voltage
UFP: Durchlassspannung bei Durchlassstrom gleich dem maximalen Höckerstrom
Forward Voltage at which the Forward Current is equal to the maximum Peak-Point Current
ufr: Durchlassspannung nach Leitverzögerung
Forward Recovery Voltage
UG: Generatorspannung
Generator Voltage
UG1S: Gate-1-Source-Spannung
Gate-No.1 to Source Voltage
UG2S: Gate-2-Source-Spannung
Gate-No.2 to Source Voltage
UGB: Gate-Bulk(Substrat)-Spannung
Gate-Bulk(Substrate) Voltage
UGES: Gate-Emitter-Sperrspannung bei kurzgeschlossener Kollektor-Emitter-Strecke (UCE=0)
Gate-Emitter Cutoff Voltage - Collector Shorted to Emitter (UCE=0)
UGRM: Spitzenwert der Gate-Sperrspannung
Peak Reverse Gate Voltage
UGS: Gate-Source-Spannung
Gate-Source Voltage
UGSO: Gate-Source-Sperrspannung bei offenem Drain (ID=0)
Gate-to-Source Cutoff Voltage at Open Drain (ID=0)
UGS (ON): Gate-Source-Einschaltspannung
Gate-Source Turn-On Voltage
UGS (OFF): Gate-Source-Spannung in Sperrrichtung, Gate-Source-Sperrspannung, Gate-Source-Abschnürspannung
Gate-Source Reverse Voltage, Gate-Source Cutoff Voltage, Gate-Source Pinch-Off Voltage
UGS (PK): Gate-Source-Spitzenspannung - nicht periodisch
Peak Gate-Source Voltage - non repetetive
UGSS: Gate-Source-Spannung bei kurzgeschlossener Drain-Source-Strecke (UDs=0)
Gate-Source Voltage - Drain Shorted to Source (UDs=0)
UGS (TH): Gate-Schwellenspannung
Gate Threshold Voltage
UGS (TH)
/T:
Temperaturkoeffizient der Gate-Schwellenspannung
Change in Gate Threshold Voltage with Temperature (Temperature Coefficient)
UHF: Hochfrequenzspannung
High-Frequency Voltage
Ui~: Eingangswechselspannung - Eingangspegel
AC Input Voltage - Input Level
UiM~: Scheitelwert der Eingangswechselspannung
Peak AC Input Voltage
Uin~: Eingangswechselspannung - Eingangspegel
AC Input Voltage - Input Level
UIN (ON): Eingangsspannung für leitenden Schaltzustand
Input Voltage Level for On-State Switch
Un~:Rausch- oder Störspannung
Noise Voltage
Uo: Leerlaufspannung eines beleuchteten Fotoelements – Richtspannung - Mittelwert der Ausgangsspannung bei Gleichrichtung sinusförmiger Wechselspannungen
Open Circuit Voltage of an illuminated photovoltaic cell – Average Output Voltage by a rectified sine-wave voltage
Uo~: Ausgangswechselspannung - Ausgangspegel
AC Output Voltage - Output Level
Uo/
UiM~:
Richtwirkungsgrad, Spannungsrichtverhältnis
Rectifying Efficiency
Uosc~: Oszillatorwechselspannung
AC Oscillator Voltage - Oscillator Injection Voltage
Tension d'oscillation
 
UP: Höckerspannung
Peak-Point Voltage
UR: Sperrspannung - Dauersperrspannung
Reverse voltage - Continuous reverse voltage
URAV: Mittlere Sperrspannung
Average Reverse Voltage
URB(OFF): Spannung am Basis-Vorwiderstand im ausgeschalteten Zustand, Ausschaltspannung in Emitterschaltung
Base Series Resistor Terminal Off-State Voltage, Common-Emitter Switch-Off Voltage
URB(ON): Spannung am Basis-Vorwiderstand im eingeschalteten Zustand, Einschaltspannung in Emitterschaltung
Base Series Resistor Terminal On-State Voltage, Common-Emitter Switch-On Voltage
URM: Spitzensperrspannung - Scheitelwert der Sperrspannung
Peak Reverse Voltage
URRM: Periodische Spitzensperrspannung
Repetitive Peak Reverse Voltage
URROM: Periodische Spitzensperrspannung (offenes Gate)
Repetitive Peak Reverse Voltage (open gate)
URSM: Stossspannung in Sperrrichtung für t<1s
Nonrepetitive Peak Reverse Voltage at t<1s
URSOM: Stossspannung in Sperrrichtung (offenes Gate)
Nonrepetitive Peak Reverse Voltage (open gate)
URW: Arbeitssperrspannung
Working reverse voltage
URWM: Periodische Scheitelsperrspannung unter Betriebsbedinungen (ohne Transienten)
Repetitive Working Peak Reverse Voltage (excluding all transient voltages)
USB: Source-Bulk(Substrat)-Spannung
Source-Bulk(Substrate) Voltage
USG: Source-Gate-Spannung
Source-Gate Voltage
USG1: Source-Gate-1-Sperrspannung
Source to Gate-No.1 Cutoff Voltage
USG2: Source-Gate-2-Sperrspannung
Source to Gate-No.2 Cutoff Voltage
USGO: Source-Gate-Spannung bei offenem Drain-Anschluss (ID=0)
Source-Gate Voltage at Open Drain (ID=0)
USGS: Source-Gate-Spannung bei kurzgeschlossener Drain-Source-Strecke (UDS=0)
Source-Gate Voltage - Drain Shorted to Source (UDS=0)
UTC: Spannung zwischen Anschlussdrähten und Gehäuse
Terminal-to-Case Voltage
UV: Talspannung
Valley-Point Voltage
Uz: Zener-Spannung - Durchbruchspannung
Zener Breakdown Voltage
Uz: Toleranz der Zener-Spannung
Zener Voltage Tolerance
Uz/T: Temperaturkoeffizient der Zener-Spannung
Zener Voltage Temperature Coefficient
w: Nettogewicht - Masse
Net Weight - Mass
Poids net - masse
     
y11e:
yie:
Kurzschluss-Eingangsadmittanz in Emitterschaltung
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Input Admittance
|y12b|:
|yrb|:
Betrag der Rückwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y12b = |y12b| x exp(j x 12b)
Magnitude of Common-Base Reverse Transfer Admittance, where y12b = |y12b| x exp(j x 12b)
y12e:
yre:
Rückwärtssteilheit, Übertragungsadmittanz rückwärts, in Emitterschaltung
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Reverse Transfer Admittance
|y12e|:
|yre|:
Betrag der Rückwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y12e = |y12e| x exp(j x 12e)
Magnitude of Common-Emitter Reverse Transfer Admittance, where y12e = |y12e| x exp(j x 12e)
y12g:
yrg:
Rückwärtssteilheit in Gate-Schaltung
Common-Gate Reverse Transfer Admittance, Reverse Transadmittance
|y21b|:
|yfb|:
Betrag der Vorwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y21b = |y21b| x exp(j x 21b)
Magnitude of Common-Base Forward Transfer Admittance, where y21b = |y21b| x exp(j x 21b)
y21e:
yfe:
Vorwärtssteilheit, Übertragungsadmittanz vorwärts, in Emitterschaltung
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Forward Transfer Admittance
|y21e|:
|yfe|:
Betrag der Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y21e = |y21e| x exp(j x 21e)
Magnitude of Common-Emitter Forward Transfer Admittance, where y21e = |y21e| x exp(j x 21e)
y21g:
yfg:
Vorwärtssteilheit in Gate-Schaltung
Common-Gate Forward Transfer Admittance, Forward Transadmittance
y21s:
yfs:
Vorwärtssteilheit in Source-Schaltung
Common-Source Forward Transfer Admittance, Forward Transadmittance
|y21s|:
|yfs|:
Betrag der Vorwärtssteilheit in Source-Schaltung, wobei y21s = |y21s| x exp(j x 21s)
Magnitude of Common-Source Forward Transfer Admittance, where y21s = |y21s| x exp(j x 21s)
y22e:
yoe:
Kurzschluss-Ausgangsadmittanz in Emitterschaltung
Small-Signal Common-Emitter Short-Circuit Output Addmittance
y22s:
yos:
Kurzschluss-Ausgangsadmittanz in Source-Schaltung
Small-Signal Common-Source Short-Circuit Output Addmittance
|y22s|:
|yos|:
Ausgangsleitwert, Betrag der Kurzschluss-Ausgangsadmittanz in Source-Schaltung, wobei y22s = |y22s| x exp(j x 22s)
Output Conductance, Magnitude of Common-Source Short-Circuit Output Addmittance, where y22s = |y22s| x exp(j x 22s)
YG: Generator-(Eingangs)admittanz
Generator (Input) Admittance
YL: Last-(Ausgangs)admittanz
Load (Output) Admittance
Z0: Eigenimpedanz der Übertragungsleitung
Characteristic Impedance of the Transmission Line
ZG: Generator-Ausgangsimpedanz - Quellimpedanz
Generator Output Impedance - Source Impedance
zi: Eingangsimpedanz
Incident (Input) Impedance
ZIF: Zwischenfrequenz-Impedanz
Intermediate-Frequency Impedanz
ZIN: Eingangsimpedanz
Input Impedance
   
Zn1: Impedanz der Transformatorwicklung n1
Transformer Winding n1 Impedance
Zn2: Impedanz der Transformatorwicklung n2
Transformer Winding n2 Impedance
Zn3: Impedanz der Transformatorwicklung n3
Transformer Winding n3 Impedance
ZOUT: Ausgangsimpedanz
Output Impedance
   
|zrb|:
|z12b|:
Betrag der Rückwirkungsimpedanz in Basisschaltung
Magnitude of Common-Base Reverse Transfer Impedance
: Wellenlänge
Wave Length
H: Bereich der spektralen Empfindlichkeit (50%) - Spektraler Halbwertsbereich
Half-Sensitivity Spectral Response
P: Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit - Wellenlänge der maximalen Emission
Wave Length of Maximum Sensitivity - Peak Wavelength
12b:
rb:
Phasenwinkel der Rückwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y12b = |y12b| x exp(j x 12b)
Phase Angle of Common-Base Reverse Transfer Admittance, where y12b = |y12b| x exp(j x 12b)
12e:
re:
Phasenwinkel der Rückwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y12e = |y12e| x exp(j x 12e)
Phase Angle of Common-Emitter Reverse Transfer Admittance, where y12e = |y12e| x exp(j x 12e)
21b:
fb:
Phasenwinkel der Vorwärtssteilheit in Basisschaltung, wobei y21b = |y21b| x exp(j x 21b)
Phase Angle of Common-Base Forward Transfer Admittance, where y21b = |y21b| x exp(j x 21b)
21e:
fe:
Phasenwinkel der Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung, wobei y21e = |y21e| x exp(j x 21e)
Phase Angle of Common-Emitter Forward Transfer Admittance, where y21e = |y21e| x exp(j x 21e)
H: Abstrahlwinkel - Öffnungswinkel
Angle of Half Intensity - Angle of Half Sensitivity
e: Strahlungsfluss - Strahlungsleistung
Radiant Flux - Radiant Power
 I2dt:  Grenzlastintegral
Load Limit Integral

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OC604 spez. ASY30 OA150 OC816 KT801B AF102 EM120 KT904B OA5
MP25B OA70 BU208 MGT108 OC612 ALZ10