KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data Last modified: 2012-09-16 (17119)

3 Dynamische Kenndaten
Dynamic Characteristics

3.3 Feldeffekt-Transistoren
Field-Effect Transistors

3.3.1 Silizium-Sperrschicht-Kleinsignaltypen
Silicon Junction Small-Signal Devices

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

gfs, |y21s| < 1.0 mA/V
Hoch - UpRunter - Down  Rate gfs @f UDS UGS Rate Ciss Crss @f UDS UGS
(OFF)
@TA Ref *?
µA/VkHzVV pFpFkHzVV °C
2N2841  MIN601.05.00 MAX6.0-1405.01.0 25Sil74 Nächster - Next
U146  MIN601.0100 MAX6.0-140101.0 25Sil74
2N2606  MIN1101.05.00 MAX6.0-1405.01.0 25Sil74 Nächster - Next
U110  MIN1101.0100 MAX6.0-140101.0 25Sil74
2N2842  MIN1801.05.00 MAX10-1405.01.0 25Sil74 Nächster - Next
U147  MIN1801.0100 MAX10-140101.0 25Sil74
2N2607  MIN3301.05.00 MAX10-1405.01.0 25Sil74 Nächster - Next
2N2843  MIN5401.05.00 MAX17-1405.01.0 25Sil74 Nächster - Next
U148  MIN5401.0100 MAX17-140101.0 25Sil74
  Rate gfs @f UDS UGS Rate Ciss Crss @f UDS UGS
(OFF)
@TA 14073
µA/VkHzVV pFpFkHzVV °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate gfs @f UDS UGS Rate Ciss Crss @f UDS UGS
(OFF)
@TA Ref *?
µA/VkHzVV pFpFMHzVV °C
2N3328  MIN1001.0100 MAX4.0-1.0101.0 25Sil74 Nächster - Next
  Rate gfs @f UDS UGS Rate Ciss Crss @f UDS UGS
(OFF)
@TA 14073
µA/VkHzVV pFpFMHzVV °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate F @f UDS UGS RG @TA Ref *?
dBkHzVVMOHM °C
2N2606 
2N2607
2N2841
2N2842
MAX 3.01.05.0010 25Sil74 Zurück - Back
Zurück - Back
Zurück - Back
Zurück - Back
2N2843 MAX 3.01.05.001.0 25Sil74 Zurück - Back
2N3328 MAX 3.01.010010 25Sil74 Zurück - Back
  Rate F @f UDS UGS RG @TA 14073
dBkHzVVMOHM °C

gfs, |y21s| = 1.0 ... 3.0 mA/V
Hoch - UpRunter - Down  Rate gfs @f UDS UGS Rate Ciss Crss @f UDS UGS
(OFF)
@TA Ref *?
mA/VkHzVV pFpFkHzVV °C
2N2608  MIN1.01.05.00 MAX17-1405.01.0 25Sil74 Nächster - Next
U112  MIN1.01.0100 MAX17-140101.0 25Sil74
2N2844  MIN1.41.05.00 MAX30-1405.01.0 25Sil74 Nächster - Next
U149  MIN1.41.0100 MAX30-140101.0 25Sil74
2N2609  MIN2.51.05.00 MAX30-1405.01.0 25Sil74 Nächster - Next
  Rate gfs @f UDS UGS Rate Ciss Crss @f UDS UGS
(OFF)
@TA 14073
mA/VkHzVV pFpFkHzVV °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate |y21s| g22s @f Rate g11s |y21s| g22s @f @UDS UGS TA Ref *?
mA/VµSkHz µSmA/VµSMHz VV°C
BF410A MIN 2.5-1.0 TYP 1003.535100 10025Val80 Nächster - Next
MAX -60
  Rate |y21s| g22s @f Rate g11s |y21s| g22s @f @UDS UGS TA 15903
mA/VµSkHz µSmA/VµSMHz VV°C
Hoch - UpRunter - Down  Rate F @f UDS UGS RG @TA Ref *?
dBkHzVVMOHM °C
2N2608 
2N2609
2N2844
MAX 3.01.05.001.0 25Sil74 Zurück - Back
Zurück - Back
Zurück - Back
  Rate F @f UDS UGS RG @TA 14073
dBkHzVVMOHM °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate F @f UDS UGS YG @TA Ref *?
dBMHzmSVV °C
BF410A 
BF410B
TYP 1.51001001.0-j3.0 25Val80 Nächster - Next
  Rate F @f UDS UGS YG @TA 15903
dBMHzmSVV °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate C11s C12s C22s @f UDS UGS TA Ref *?
pFpFpFMHz VV°C
BF410A 
BF410B
TYP -0.3- 1.010025 Val80 Zurück - Back
Zurück - Back
MAX 5.00.43.0
  Rate C11s C12s C22s @f UDS UGS TA 15903
pFpFpFMHz VV°C

gfs, |y21s| = 3.0 ... 8.0 mA/V
Hoch - UpRunter - Down  Rate |y21s| g22s @f Rate g11s |y21s| g22s @f @UDS UGS TA Ref *?
mA/VµSkHz µSmA/VµSMHz VV°C
BF410B MIN 4.0-1.0 TYP 905.555100 10025Val80 Nächster - Next
MAX -80
  Rate |y21s| g22s @f Rate g11s |y21s| g22s @f @UDS UGS TA 15903
mA/VµSkHz µSmA/VµSMHz VV°C
Hoch - UpRunter - Down  Rate |y21s| g22s @f Rate g11s |y21s| g22s @f @UDS ID TA Ref *?
mA/VµSkHz µSmA/VµSMHz VmA°C
BF410D MIN 3.5-1.0 TYP 505.090100 105.025Val80 Nächster - Next
MAX -120
BF410C MIN 4.0-1.0 TYP 605.070100 105.025Val80 Nächster - Next
MAX -100
  Rate |y21s| g22s @f Rate g11s |y21s| g22s @f @UDS ID TA 15903
mA/VµSkHz µSmA/VµSMHz VmA°C
Hoch - UpRunter - Down  Rate fy21s |y21s| |y22s| @f g11s |y21s| g22s @f @UDS UGS TA Ref *?
MHzmA/VµSkHz µSmA/VµSMHz VV°C
BF245 MIN -3.0-1.0 ---200 15025Txi78
Val80
Nächster - Next
TYP 7005.525 2506.040
MAX -6.5- ---
BF256 MIN -4.5-1.0      15025Val80 Nächster - Next
TYP 10005.0-    
  Rate fy21s |y21s| |y22s| @f g11s |y21s| g22s @f @UDS UGS TA 15903
MHzmA/VµSkHz µSmA/VµSMHz VV°C
Hoch - UpRunter - Down  Rate F @f UDS UGS RG @TA Ref *?
dBMHzVVkOHM °C
BF245 TYP 1.51001501.0 25Val80 Nächster - Next
  Rate F @f UDS UGS RG @TA 15903
dBMHzVVkOHM °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate F @f UDS ID YG @TA Ref *?
dBMHzVmAmS °C
BF410C 
BF410D
TYP 1.5100105.01.0-j3.0 25Val80 Nächster - Next
  Rate F @f UDS ID YG @TA 15903
dBMHzVmAmS °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate F @UDS Gp GPg @UDS @f RS TA Ref *?
dBV dBdBV MHzOHM °C
BF256 TYP 7.510 11-15 8004725Val80 Nächster - Next
TYP 7.510 -1415 8004725Txi78
  Rate F @UDS Gp GPg @UDS @f RS TA 15903
dBV dBdBV MHzOHM °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate C11s C12s C22s @f UDS UGS
(OFF)
TA Ref *?
pFpFpFMHz VV°C
BF245 TYP 4.01.11.61.0 201.025 Val80 Zurück - Back
  Rate C11s C12s C22s @f UDS UGS
(OFF)
TA 15903
pFpFpFMHz VV°C
Hoch - UpRunter - Down  Rate C12s @UGS
(OFF)
C22s @UGS @f UDS TA Ref *?
pFV pFV MHzV°C
BF256 TYP 0.71.0 1.60 1.02025 Val80 Zurück - Back
  Rate C12s @UGS
(OFF)
C22s @UGS @f UDS TA 15903
pFV pFV MHzV°C
Hoch - UpRunter - Down  Rate C11s C12s C22s @f UDS ID TA Ref *?
pFpFpFMHz VmA°C
BF410C 
BF410D
TYP -0.3- 1.0105.025 Val80 Zurück - Back
Zurück - Back
MAX 5.00.43.0
  Rate C11s C12s C22s @f UDS ID TA 15903
pFpFpFMHz VmA°C

gfs, |y21s| = 8.0 ... 24 mA/V
Hoch - UpRunter - Down  Rate fy21s |y21s| @f UGS C11s C12s C22s @f ID @UDS TA Ref *?
MHz mA/VkHzV pFpFpFMHzmA V°C
BF247 MIN - 8.01.00 ---1.010 1525 Val80
TYP 450 17 113.55.0
  Rate fy21s |y21s| @f UGS C11s C12s C22s @f ID @UDS TA 15903
MHz mA/VkHzV pFpFpFMHzmA V°C
Hoch - UpRunter - Down  Rate fy21s @UGS |y21s| C12s @f ID C11s C22s @f ID @UDS TA Ref *?
MHzV mA/VpFkHzmA pFpFMHzmA V°C
BF246 MIN -0 8.0-1.010 --1.010 1525 Val80
TYP 450 23–3.5 1515
  Rate fy21s @UGS |y21s| C12s @f ID C11s C22s @f ID @UDS TA 15903
MHzV mA/VpFkHzmA pFpFMHzmA V°C

Hoch - UpRunter - Down 
2N3066
2N3067
2N3068
2N3069
2N3070
2N3071
@TA:
@UGs:
Rate
gfs:
@f:
goss:
Coss:
@f:
@UDs:
Ciss:
@UDs:
@f:
F:
@UDs:
@f:
@f:
@RG:
25
0
MIN MAX
0.4
1.0
1.0
-
-
-
-
50
1.5
1.0
30
-
-
-
10
12
1.0
-
-
-
-
-
3.0
15
1.0
200
1.0
25
0
MIN MAX
0.3
1.0
1.0
-
-
-
-
20
1.5
1.0
30
-
-
-
10
8.0
1.0
-
-
-
-
-
3.0
10
1.0
200
1.0
25
0
MIN MAX
0.2
1.0
1.0
-
-
-
-
5.0
1.5
1.0
30
-
-
-
10
5.0
1.0
-
-
-
-
-
3.0
5.0
1.0
200
1.0
25
0
MIN MAX
1.0
1.0
2.5
-
-
-
-
80
1.5
1.0
30
-
-
-
15
12
1.0
-
-
-
-
-
3.0
15
1.0
200
1.0
25
0
MIN MAX
0.75
1.0
2.5
-
-
-
-
30
1.5
1.0
30
-
-
-
15
8.0
1.0
-
-
-
-
-
3.0
10
1.0
200
1.0
25
0
MIN MAX
0.5
1.0
2.5
-
-
-
-
7.0
1.5
1.0
30
-
-
-
15
5.0
1.0
-
-
-
-
-
3.0
5.0
1.0
200
1.0
°C
V
 
mA/V
kHz
µS
pF
MHz
V
pF
V
MHz
dB
V
kHz
Hz
MOHM
Ref *?
Sil74
14072

Hoch - UpRunter - Down 
2N3089
@TA:
Rate
giss:
@f:
gfs:
gos:
@f:
@UDs:
@UGS(OFF):
Ciss:
Crss:
@UDs:
@UGs:
@f:
F:
 
@UDs:
@UGs:
@f:
@RG:
25
MIN MAX
-
-
100
1.0
0.3
-
-
2.0
50
1.0
15
1.0
-
-
-
6.0
2.0
15
0
1.0
-
-
-
-
0.01
-
3.0
0.5
6.0
0
15
1.0
°C
 
µS
MHz
mA/V
µS
kHz
V
V
pF
pF
V
V
MHz
dB
dB [A]
V
V
kHz
MOHM
Ref *?
Sil74
14072

Hoch - UpRunter - Down 
2N3329
2N3330
2N3331
2N3332
@TA:
Rate
gis:
gfs:
grs:
gos:
@f:
gfs:
@f:
@ID:
@UDs:
Ciss:
@UDs:
@UGS(OFF):
@f:
F:
@f:
@RG:
F:
@f:
@RG:
@ID:
@UDs:
25
MIN MAX
-
1.0
-
-
1.0
0.2
2.0
0.1
20
-
0.9
10
-
-
1.0
10
-
-
-
-
20
10
1.0
1.0
 
 
 
-
-
-
3.0
1.0
1.0
1.0
5.0
25
MIN MAX
-
1.5
-
-
1.0
0.2
3.0
0.1
40
-
1.35
10
-
-
2.0
10
-
-
-
-
20
10
1.0
1.0
 
 
 
-
-
-
3.0
1.0
1.0
1.0
5.0
25
MIN MAX
-
2.0
-
-
1.0
0.2
4.0
0.1
100
-
1.8
10
-
-
5.0
10
-
-
-
-
20
10
1.0
1.0
 
 
 
-
-
-
4.0
1.0
1.0
1.0
5.0
25
MIN MAX
-
1.0
-
-
1.0
0.2
2.2
0.1
20
-
0.9
10
-
-
1.0
10
-
-
-
-
20
10
1.0
1.0
-
-
-
5.0
10
10
-
-
-
1.0
1.0
1.0
1.0
5.0
°C
 
µS
mA/V
µS
µS
kHz
mA/V
MHz
mA
V
pF
V
V
MHz
dB
Hz
MOHM
dB
kHz
MOHM
mA
V
Ref *?
Sil74
14073

3.3.2 Silizium-Sperrschicht-Leistungstypen
Silicon Junction Power Devices

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

gfs, |y21s| = 10 ... 50 mA/V
Hoch - UpRunter - Down  Rate |y21s| @f UDS UGS F @f ID UDS RG @TA Ref *?
mA/VkHzVV dBMHzmAVOHM °C
P8000 TYP 171.0100 1.51001215300 -Ukw78
  Rate |y21s| @f UDS UGS F @f ID UDS RG @TA 15903
mA/VkHzVV dBMHzmAVOHM °C

gfs, |y21s| = 50 ... 250 mA/V
Hoch - UpRunter - Down  Rate gfs @f UDS UGS Ciss Crss @f UDS UGS
(OFF)
@TA Ref *?
mA/VkHzVV pFpFMHzVV °C
U244 MIN 801.0100 --1.0010 25Sil74
MAX 200 3515
  Rate gfs @f UDS UGS Ciss Crss @f UDS UGS
(OFF)
@TA 14070
mA/VkHzVV pFpFMHzVV °C

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MP25B OA70 BU208 MGT108 OC612 ALZ10