| KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data | Last modified: 2010-01-31 (16160) |
Alle Angaben sind absolute Grenzwerte, wenn nichts anderes angegeben ist.
Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen.
Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.
All values are absolute maximum ratings unless otherwise specified.
Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.
| BSS129 | ||
|---|---|---|
|
PT: IDM: @TA: |
1.0 0.6 25 |
W A °C |
|
UDS: UGS (PK): |
230 ±20 |
V V |
|
UDGR: @RGS: |
230 20 |
V kOHM |
|
ID: @TA: |
0.15 35 |
A °C |
|
RthJA: TJ: TSTG: w: |
125 –55... +150 –55... +150 0.2 |
K/W °C °C g |
| Ref *? | Sie87 | 14446 |
| 9.3.4 | Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen Silicon Depletion-Mode MOS Power Devices (Power MOSFETs) |
Alle Angaben sind absolute Grenzwerte, wenn nichts anderes angegeben ist.
Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen.
Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.
All values are absolute maximum ratings unless otherwise specified.
Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.
| IXTP 02N50D |
IXTP 01N100D |
||
|---|---|---|---|
|
PT: @TC: |
25 25 |
25 25 |
W °C |
|
PT: @TA: |
1.1 25 |
1.1 25 |
W °C |
|
UDSV: UGS: UGS (PK): |
500 ±20 ±30 |
1000 ±20 ±30 |
V V V |
|
UDGR: @RGS: |
500 1.0 |
1000 1.0 |
V MOHM |
|
ID: IDM: @TC: |
0.2 0.8 25 |
0.1 0.4 25 |
A A °C |
|
RthJA: TJ: TSTG: TL: w: |
3.0 –55... +150 –55... +150 300 1.0 |
5.0 –55... +150 –55... +150 300 1.0 |
K/W °C °C °C g |
| Ref *? | Ixy01 | 14447 | |