KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data Last modified: 2010-01-31 (16160)

9 Grenzwerte
Maximum Ratings

9.3 Feldeffekt-Transistoren
Field-Effect Transistors

9.3.1 Silizium-Sperrschicht-Kleinsignaltypen
Silicon Junction Small-Signal Devices

Alle Angaben sind absolute Grenzwerte, wenn nichts anderes angegeben ist. Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

All values are absolute maximum ratings unless otherwise specified. Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

Vorige Seite - Previous Page Seitenanfang - Top of Page Inhalt - Table of Contents Start - Top of Document Nächste Seite - Next Page

UDG, UDS = 20 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDG USG IG TSTG TL Ref *?
mW°CmW/K VVmA °C°C
2N3328 
2N3329
2N3330
2N3331
2N3332
300252.0 202010 –65..
+200
230 Sil74
U110 
U112
300252.0 202030 –65..
+150
- Sil74
U146 
U147
U148
U149
300252.0 202030 –65..
+150
- Sil74
  PT @TA DP UDG USG IG TSTG TL 15740
mW°CmW/K VVmA °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
BF410  30075 2020-3010 <250150–65..
+150
Val80
  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG 15740
mW°C VVVmAmA K/W°C°C

UDG, UDS = 25 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDS UDG USG TJ TSTG Ref *?
mW°CmW/K VVV °C°C
2N5457 
2N5458
2N5459
310252.82 252525 135–65..
+150
Sil74
  PT @TA DP UDS UDG USG TJ TSTG 15740
mW°CmW/K VVV °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
BF247  25025 25---10 <500150–65..
+150
Val80
BF246  30075 252525-10 <250150–65..
+150
Val80
  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG 15740
mW°C VVVmAmA K/W°C°C

UDG, UDS = 30 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDS UDG USG IG TSTG TL Ref *?
mW°CmW/K VVVmA °C°C
2N2606 
2N2607
2N2608
2N2609
300252.0 -303050 –65..
+200
- Sil74
2N2841 
2N2842
2N2843
2N2844
300252.0 -303050 –65..
+200
- Sil74
2N3089  400252.3 -303050 –65..
+200
- Sil74
BF244  300252.4 ±3030-10 –55..
+150
260 Txi78
  PT @TA DP UDS UDG USG IG TSTG TL 15903
mW°CmW/K VVVmA °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmAmA K/W°C°C
BFW10 
BFW11
26545 3030302010 <590200–65..
+200
Val80
30025
BF245  30075 3030302510 <250150–65..
+150
Val80
BF256  30075 303030-10 <250150–65..
+150
Val80
  PT @TA UDS DGO SGO ID IG RthJA TJ TSTG 15740
mW°C VVVmAmA K/W°C°C

UDG, UDS = 50 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA DP UDG USG IG TJ TSTG Ref *?
mW°CmW/K VVmA °C°C
2N3066 
2N3067
2N3068
300251.7 5050100 200–65..
+300
Sil74
2N3069 
2N3070
2N3071
350252.0 5050100 200–65..
+300
Sil74
  PT @TA DP UDG USG IG TJ TSTG 15740
mW°CmW/K VVmA °C°C

9.3.2 Silizium-Sperrschicht-Leistungstypen
Silicon Junction Power Devices (JFETs)

Alle Angaben sind absolute Grenzwerte, wenn nichts anderes angegeben ist. Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

All values are absolute maximum ratings unless otherwise specified. Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

PT >= 3 W
Hoch - UpRunter - Down  PT @TC PT @TA UDG USG ID TJ TSTG Ref *?
W°CW°C VVA °C°C
P8000  3.0-1.2525 25250.15 -- Ukw78
  PT @TC PT @TA UDG USG ID TJ TSTG 15903
W°CW°C VVA °C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TC DP UDG USG ID TJ TSTG Ref *?
W°CmW/K VVA °C°C
U244  102580 25250.9 –55..
+150
–65..
+150
Sil74
  PT @TC DP UDG USG ID TJ TSTG 15740
W°CmW/K VVA °C°C

Vorige Seite - Previous Page Seitenanfang - Top of Page Inhalt - Table of Contents Start - Top of Document Nächste Seite - Next Page

Copyright © 2010Franz Hamberger, Berlin, Germany

OC604 spez. ASY30 OA150 OC816 KT801B AF102 EM120 KT904B OA5
MP25B OA70 BU208 MGT108 OC612 ALZ10